[發(fā)明專利]一種可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710045602.2
• 申請(qǐng)日: 2017-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106711762B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)赫;陶明亮;杜永乾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01S5/183
• 分類號(hào): H01S5/183;H01S5/187;H01S5/02
• 代理公司: 西安利澤明知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 61222
• 代理人: 賈曉玲

1.一種可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，包括以下制備步驟：a采用金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積或分子束外延系統(tǒng)在n型砷化鎵襯底(13)上依次外延生長(zhǎng)包括n型鋁砷化鎵(11)和n型砷化鎵層(12)的下分布反饋布拉格反射鏡(210)、有源區(qū)(10)、氧化限制層(9)、P型歐姆接觸(8)；b將外延片清洗、光刻、腐蝕，形成臺(tái)面結(jié)構(gòu)，暴露出氧化限制層(9)側(cè)壁；c進(jìn)行氧化工藝，形成注入電流限制孔徑；d采用金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積或分子束外延系統(tǒng)外延生長(zhǎng)絕緣層(7)，進(jìn)行第二次光刻、腐蝕、暴露出P型歐姆接觸層(8)；e在絕緣層(7)上濺射金屬，并進(jìn)行第三次光刻、腐蝕，形成注入電極(6)；f將n型砷化鎵襯底(13)減薄，背面濺射金屬形成襯底電極(14)；g采用金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積或分子束外延系統(tǒng)在GaAs襯底(15)上，依次沉積AlAs犧牲層(1)和上分布反饋布拉格反射鏡(110)層，其特征在于：還包括步驟h對(duì)上分布反饋布拉格反射鏡(110)層進(jìn)行光刻、腐蝕，獲得圖案化的上分布反饋布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)，然后在上分布反饋布拉格反射鏡(110)層上沉積金屬電極層，并且對(duì)金屬電極層進(jìn)行光刻、蝕刻，制備具有出光孔(17)的上電極(2)，在上電極(2)的上表面上設(shè)置黑蠟支撐層(16)，并且采用HF腐蝕AlAs犧牲層(1)，通過(guò)外延層剝離的方式去除GaAs襯底(15)，從而獲得帶有支撐層的微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)薄膜(100)；步驟i在半結(jié)構(gòu)的垂直腔面發(fā)射激光器(200)表面旋涂粘合層(5)并對(duì)粘合層(5)進(jìn)行光刻，然后將帶有支撐層(16)的微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)薄膜(100)與半結(jié)構(gòu)垂直腔面發(fā)射激光器(200)通過(guò)粘合層(5)粘合在一起；j利用三氯乙烯去除黑蠟支撐層(16)，得到成品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于：步驟h中采用濃度為10％的HF腐蝕犧牲層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于：步驟c中氧化溫度為120℃-150℃，氧化時(shí)間為10-40分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于：步驟c中氧化溫度為130℃，氧化時(shí)間為20分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于：步驟c中形成的注入電流限制孔徑為70μm-150μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于：步驟c中形成的注入電流限制孔徑為70μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于：步驟i中粘合層厚度為1μm-2μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于：步驟e或步驟f中所濺射的金屬為TiAu。