[發明專利]一種基于低頻阻抗分析儀的測量薄膜磁極化率測量方法在審
| 申請號： | 201710045237.5 | 申請日： | 2017-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN106841316A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 孫劍飛;范鳳國;張韜敏;王鵬;馬思雨;顧寧 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | G01N27/02 | 分類號： | G01N27/02;G01N1/28 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陳國強 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 低頻 阻抗 分析 測量 薄膜 磁極 測量方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于低頻阻抗分析儀的測量薄膜磁極化率的方法，其特征在于：通過低頻阻抗分析儀在變頻下測量無磁性薄膜的阻抗，推導出電極化率；然后通過低頻阻抗分析儀在變頻下測量磁性薄膜的阻抗，利用上述步驟得到的電極化率推導出相應復數磁極化率。
2.根據權利要求1所述的基于低頻阻抗分析儀的測量薄膜磁極化率的方法，其特征在于：所述磁性薄膜為磁性γ-Fe2O3納米顆粒組成的薄膜，所述無磁性薄膜為α-Fe2O3納米顆粒組成的薄膜。
3.根據權利要求2所述的基于低頻阻抗分析儀的測量薄膜磁極化率的方法，其特征在于：所述γ-Fe2O3納米顆粒和α-Fe2O3納米顆粒的粒徑均為10nm。
4.根據權利要求1所述的基于低頻阻抗分析儀的測量薄膜磁極化率的方法，其特征在于：通過公式推導出磁性薄膜的復數磁極化率，其中，ξ表示磁性薄膜表面阻抗，μ表示磁極化率，ε表示材料的電極化率。
5.根據權利要求1所述的基于低頻阻抗分析儀的測量薄膜磁極化率的方法，其特征在于：所述磁性薄膜和無磁性薄膜通過以下方法制備：
步驟1，合成裸的γ-Fe2O3納米顆粒和α-Fe2O3納米顆粒；
步驟2，將以上納米顆粒通過靜電吸附的方式，用層層自組裝方法將納米顆粒組裝在載玻片上，組裝后的薄膜厚度為300nm。
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