[發明專利]一種高能激光陣列探測器用取樣衰減裝置

有效

• 申請號: 201710045032.7
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN106768310B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 何均章;周山;張衛;胡曉陽;龐淼;魏繼峰;高學燕;常艷;周文超
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院應用電子學研究所
• 主分類號: G01J1/04
• 分類號: G01J1/04
• 代理公司: 中國工程物理研究院專利中心51210
• 代理人: 翟長明,韓志英

1.一種高能激光陣列探測器用取樣衰減裝置，其特征在于：所述的取樣衰減裝置含有數個結構相同的取樣衰減器，取樣衰減器按陣列排布；每個取樣衰減器包括前銅板(1)、后銅板(2)、衰減片固定板(3)、圓柱狀的衰減片(5)和衰減片壓板(4)；

所述的前銅板(1)用于高能激光束取樣，對非取樣激光進行漫反射；

后銅板(2)用于傳遞前銅板(1)的熱量；

衰減片固定板(3)、衰減片壓板(4)用于固定衰減片(5)；

所述的取樣衰減器的前部設置有前銅板(1)，在前銅板(1)后依次壓貼有后銅板(2)、衰減片固定板(3)、衰減片壓板(4)；

所述的前銅板(1)上設置有圓形的斜孔Ⅰ(6)、斜孔Ⅱ(7)；在前銅板(1)的后表面設置有一半球孔Ⅰ(8)，后銅板(2)的前表面設置有一半球孔Ⅱ(9)，前銅板(1)的后表面的半球孔Ⅰ(8)與后銅板(2)的半球孔Ⅱ(9)構成一個球孔；后銅板(2)中心設置有一圓形的通孔Ⅰ(10)，衰減片固定板(3)中心設置有通孔Ⅱ (11)、在通孔Ⅱ (11)后設置有圓孔(12)；衰減片壓板(4)中心設置有一圓形的通孔Ⅲ(13)；衰減片固定板(3)貼于后銅板(2)上，衰減片(5)安裝在衰減片固定板(3)的圓孔(12)內；衰減片固定板(3)的前端設置有一用于放置衰減片(5)的圓臺階；

所述取樣衰減器中的斜孔Ⅰ(6)與斜孔Ⅱ(7)設置為空間對稱結構，斜孔Ⅰ(6)與斜孔Ⅱ(7)呈一夾角α，斜孔Ⅰ(6)與斜孔Ⅱ(7)的前端分別位于前銅板(1)的前表面、其后端相疊，相疊孔位于半球孔Ⅰ(8)上；衰減片(5)設置于衰減片固定板(3)的圓臺階上，衰減片(5)的左端貼于圓臺階、右端與衰減片壓板(4)的通孔Ⅲ(13)左端齊平；所述的半球孔Ⅰ(8)、半球孔Ⅱ(9)、通孔Ⅰ(10)、通孔Ⅱ(11)、圓孔(12)和通孔Ⅲ(13)為同軸心設置。

2.根據權利要求1所述的高能激光陣列探測器用取樣衰減裝置，其特征在于：所述的α角的范圍為5°～30°。

3.根據權利要求1所述的高能激光陣列探測器用取樣衰減裝置，其特征在于：所述的取樣衰減器中半球孔Ⅰ(8)與半球孔Ⅱ(9)構成的球孔直徑大于通孔Ⅰ(10)的直徑。

4.根據權利要求1所述的高能激光陣列探測器用取樣衰減裝置，其特征在于：所述的衰減片(5)的直徑大于通孔Ⅱ(11)和通孔Ⅲ(13)的直徑。

5.根據權利要求1所述的高能激光陣列探測器用取樣衰減裝置，其特征在于：所述的取樣衰減器中的通孔Ⅰ(10)、通孔Ⅱ(11)為同直徑設置。

6.根據權利要求1所述的高能激光陣列探測器用取樣衰減裝置，其特征在于：所述的前銅板(1)的材料采用經表面鍍金處理的紫銅或鋁；后銅板(2)的材料采用表面鍍金的紫銅或鋁，衰減片固定板(3)的材料采用發黑鋁或石墨。