[發明專利]一種雙技術協同制備軸瓦減摩鍍層的方法在審
| 申請號: | 201710044987.0 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN106702332A | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發明(設計)人: | 郭巧琴;李建平;郭永春;楊忠;高培虎;夏峰 | 申請(專利權)人: | 西安工業大學 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/02;C22C32/00;C22C21/00;F16C33/12;F16C33/14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 技術 協同 制備 軸瓦 鍍層 方法 | ||
技術領域
本發明涉及滑動軸承技術領域,更具體的涉及一種雙技術協同制備軸瓦減摩鍍層的方法。
背景技術
對于高速、重載、高精度、結構上需要剖分的場合,如汽輪機、離心式壓縮機、柴油機、大型電機等,需采用滑動軸承,軸瓦是滑動軸承中的重要零件,是最重要的承力部件之一,也是發動機中最易失效的部件。
滑動軸承的主要作用有:1、支持軸及軸上零件,保持軸的旋轉精度;2、減少轉軸與支承之間的摩擦磨損。軸承中起支承軸頸作用的零件是軸瓦,因此,軸瓦的性能好壞直接影響著發動機的性能。隨著汽車工業的發展,人們對發動機的功率和轉速指標要求越來越高,因而對軸瓦、襯套等耐磨零件的服役條件進一步惡化,性能要求也越來越苛刻。發動機工作時,軸瓦需承受高達700MPa的負荷,遠高于合金襯層和鋼背的屈服極限(100-300MPa),易導致軸瓦彈張量消失,并最終導致軸瓦抱軸;在交變應力作用下,軸瓦會出現涂層、合金襯層開裂和剝落,因而也易導致軸瓦咬合失效。特別是在發動機突然啟動或瞬時加速時,潤滑油膜不能及時形成,曲軸和軸瓦之間處于干摩擦狀態,軸瓦和曲軸極易損壞。國外不斷從改善潤滑條件、優化結構、提高材料性能等方面努力,以提高軸瓦的使用壽命。
傳統的軸瓦其結構形式上一般由依次設置的鋼背層、軸承合金層、鎳柵層以及減摩層組成,其中基底層在鋼背層上,鎳柵層鍍在基底層上,減摩層鍍在鎳柵層上。減摩層一般采用鉛錫銅三元合金。這種軸瓦能在一定程度上滿足發動機的基本要求,但是應用在強化的柴油機上,由于減摩層的抗疲勞強度低,不能滿足汽車柴油機的發展需要,軸瓦的抗疲勞強度、耐腐蝕性及耐磨性都有待提高。同時,由于軸瓦中含有鉛等有害金屬元素,軸瓦對環境產生一定的破壞,不具有環保型性能,不符合社會的發展需要。傳統的軸瓦減摩層一般是通過電鍍的方法沉積而成的。這種電鍍在生產的過程中,對環境及操作人員非常有害,而且電鍍出來的軸瓦其性能要求有一定的局限性。
發明內容
本發明提供一種雙技術協同制備軸瓦減摩鍍層的方法,利用電弧離子鍍和磁控濺射離子鍍技術協同制備軸瓦減摩鍍層,實現了大厚度軸瓦鍍層的高速沉積,其軸瓦鍍層具有致密性好、抗疲勞強度高、耐磨性優良和環保的特點。
具體的,本發明中雙技術協同制備軸瓦減摩鍍層的方法,包括以下步驟:
步驟1:將軸瓦基體安裝到磁控濺射設備內,并在軸瓦基體和靶材之間建立水平正交電磁場;
步驟2:將磁控濺射設備內部進行抽真空,使真空度達到10-3Pa以下的設定值;
步驟3:當磁控濺射設備內部真空度達到設定值后,向水平正交電磁場中通入惰性氣體,并轉動軸瓦基體進行輝光清洗;
步驟4:輝光清洗后進行弧光清洗,弧光清洗時采用鎳靶;
步驟5:對軸瓦基體的內圓面使用電弧離子鍍制備鎳柵層,制備鎳柵層時使用鎳靶,利用水平正交電磁場對鎳靶進行轟擊,鎳靶離子被擊出后沉積到軸瓦基體的內圓面,形成一層鎳柵層;
步驟6:對形成鎳柵層的軸瓦基體,同時使用電弧離子鍍和磁控濺射離子鍍進行處理,在鎳柵層上進行復合鍍膜,形成軸瓦減摩鍍層,其中,電弧離子鍍采用的靶材為鋁銅合金靶,磁控濺射離子鍍采用的靶材為錫靶和碳靶;
步驟7:將形成軸瓦減摩鍍層的軸瓦基體隨爐冷卻至溫度低于180℃后,打開磁控濺射設備并取出帶有軸瓦減摩鍍層的軸瓦基體。
優選的,步驟1中,水平正交電磁場中電場由直流電源提供電能,脈沖偏壓電源范圍為0-1500V,所述軸瓦基體為鋁基軸承合金。
優選的,步驟3中,輝光清洗時,工作壓力為3.50Pa,惰性氣體流量為170sccm,軸瓦基體脈沖偏壓為800V,占空比為20%,清洗時間為5min。
優選的,步驟4中,弧光清洗時,工作壓力為2.00Pa,惰性氣體流量為100sccm,軸瓦基體脈沖偏壓為900V,鎳靶電流為50A,清洗時間為4min。
優選的,所述鎳靶純度為99.9%。
優選的,步驟5中,工作壓力為2.00Pa,惰性氣體流量為100sccm,軸瓦基體偏壓為900V,占空比為10%,鎳靶電流為50-90A,電弧離子鍍鎳柵層沉積時間為10min。
優選的,步驟6中,采用純度為99.9%的鋁銅合金靶進行電弧離子鍍,鋁銅合金靶電流為45-90A,采用純度均為99.9%的錫靶和碳靶進行磁控濺射離子鍍,錫靶電流為0.15-1.0A,碳靶電流為0.8-3.0A,軸瓦基體偏壓為300-500V,占空比為50-80%,鍍膜時間為30-60min,每隔5min記錄一次數據。
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