[發(fā)明專利]晶圓的擴膜取粒方法及晶圓的生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710044657.1
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN106816404B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設計）人: 田振興;王斌;張樹寶;孔玲娜
• 申請（專利權(quán)）人: 吉林麥吉柯半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 郭俊霞

1.一種晶圓的擴膜取粒方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)提供晶圓，晶圓被切割為多個晶粒，多個晶粒粘附于底膜上，晶粒之間的間距為200μm，底膜固定于固定環(huán)上，且晶粒經(jīng)過電性能測試，不合格的晶粒被標記為黑色；

(b)將擴膜機的載臺加熱至50℃，將粘附有晶粒的底膜放入擴膜機的載臺上，并用壓環(huán)將底膜固定，開啟擴膜操作，使底膜隨著載臺的上升被均勻拉伸，使晶粒之間的間隙被拉大至1000μm，停止擴膜；使用頂針將不合格的晶粒從底膜上剔除；

(c)將剔除不合格的晶粒后的底膜放入烘箱中，將烘烤溫度設定為80℃，烘烤10分鐘，使底膜恢復至擴膜前平整狀態(tài)，便于進行后續(xù)的封裝工藝；

所述底膜的邊緣大于固定環(huán)的外緣，在將底膜放置于擴膜機上的載臺時，能夠直接將壓環(huán)固定在底膜的邊緣，而不需要再在底膜的邊緣使用其它附屬工具進行固定。

2.據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的擴膜取粒方法，其特征在于，所述底膜的厚度為0.08-0.12mm，所述底膜為藍膜或白膜。

3.一種晶圓的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括權(quán)利要求1或2所述的晶圓的擴膜取粒方法。