[發(fā)明專利]光電子器件、以及包括其的圖像傳感器和電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710044340.8
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN107026237B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許成;金奎植;金南定;金成憲;金容誠;曹恩愛;盧卓均;尹桐振;金瑢洙;鮮于文旭;樸用永;樸敬培
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.光電子器件，其包括：

彼此面對的第一電極和第二電極，

在所述第一電極和所述第二電極之間的光電轉(zhuǎn)換層，和

在所述光電轉(zhuǎn)換層和所述第二電極之間的緩沖層，

所述緩沖層包括選自如下的氮化物：其中0.2≤x1的氮化硅SiN_x、其中0.05≤y0.5且0.2≤z1的氧氮化硅SiO_yN_z、以及其組合。

2.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述氮化物進(jìn)一步包括磷。

3.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中基于100原子％的所述氮化物，以小于或等于10原子％的量包括磷。

4.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述緩沖層為接觸所述第二電極的電子阻擋層。

5.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述緩沖層包括選自如下的氮化物：其中0.2≤x≤0.7的氮化硅SiN_x、其中0.05≤y≤0.35且0.2≤z≤0.7的氧氮化硅SiO_yN_z、以及其組合。

6.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述緩沖層具有-3.8eV到-1.5eV的能帶隙。

7.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中當(dāng)所述第二電極包括金屬氧化物時(shí)，所述氮化硅具有-5.0eV到-4.5eV的價(jià)帶能級(jí)和-3.5eV到-2.0eV的導(dǎo)帶能級(jí)。

8.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中當(dāng)所述第二電極包括金屬氧化物時(shí)，所述氧氮化硅具有-5.8eV到-4.5eV的價(jià)帶能級(jí)和-3.5eV到-1.5eV的導(dǎo)帶能級(jí)。

9.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述緩沖層的價(jià)帶能級(jí)高于所述光電轉(zhuǎn)換層的HOMO能級(jí)并且所述緩沖層的導(dǎo)帶能級(jí)高于所述光電轉(zhuǎn)換層的LUMO能級(jí)。

10.如權(quán)利要求9所述的光電子器件，其中所述緩沖層的價(jià)帶能級(jí)和所述光電轉(zhuǎn)換層的HOMO能級(jí)之間的差值大于0eV且小于或等于0.5eV，和

所述緩沖層的導(dǎo)帶能級(jí)和所述光電轉(zhuǎn)換層的LUMO能級(jí)之間的差值大于或等于1.1eV且小于或等于4eV。

11.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述緩沖層具有1nm-30nm的厚度。

12.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述緩沖層為第一緩沖層，并且所述光電子器件進(jìn)一步包括在所述第一電極和所述光電轉(zhuǎn)換層之間的第二緩沖層。

13.如權(quán)利要求12所述的光電子器件，其中所述第二緩沖層為空穴阻擋層。

14.如權(quán)利要求12所述的光電子器件，其中所述第二緩沖層包括選自如下的無機(jī)氧化物：其中2.58≤x13.0的MoO_x1、其中1.0≤x22.0的ZnO_x2、其中1.5≤x32.0的TiO_x3、其中1.5≤x42.0的VO_x4、其中1.0≤x52.5的TaO_x5、其中2.0x63.0的WO_x6、以及其組合。

15.如權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述第一電極和所述第二電極分別包括金屬、金屬氧化物、或其組合。