[發明專利]有機發光二極管(OLED)陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201710043335.5 | 申請日: | 2017-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN108336107A | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發明(設計)人: | 程鴻飛;張玉欣 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一電極 漏極 輔助電極 第二電極 有機材料功能層 有機發光二極管 驅動晶體管 襯底基板 同層設置 陣列基板 基板 源極 工藝步驟 顯示裝置 電連接 并聯 制備 | ||
本公開提供一種有機發光二極管(OLED)陣列基板,該OLED陣列基板包括:襯底基板以及設置在襯底基板上的驅動晶體管、第一電極、第二電極、有機材料功能層以及與第二電極并聯的輔助電極,該有機材料功能層位于第一電極和第二電極之間;該驅動晶體管包括柵極、源極和漏極,該第一電極與源極或漏極電連接;輔助電極與第一電極、柵極和漏極中的至少之一同層設置。本發明的實施例將輔助電極與第一電極、柵極和漏極中的至少之一同層設置,在形成OLED陣列基板的第一電極、柵極和/或漏極的步驟中形成輔助電極,節省了工藝步驟。
技術領域
本發明的實施例涉及一種有機發光二極管(OLED)陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光器件)顯示器是新一代的顯示器,與液晶顯示器相比,具有自發光,響應速度快以及視角寬等優點,可以用于柔性顯示,透明顯示,3D顯示等。
OLED顯示器件由陽極、陰極以及有機材料功能層構成,OLED顯示器件主要的工作原理是有機材料功能層在陽極和陰極形成的電場的驅動下,通過載流子注入和復合而發光。
發明內容
本發明至少一實施例提供一種有機發光二極管(OLED)陣列基板,包括:襯底基板,設置在所述襯底基板上的驅動晶體管、第一電極、第二電極、有機材料功能層以及與所述第二電極并聯的輔助電極,其中,所述有機材料功能層位于所述第一電極和所述第二電極之間;所述驅動晶體管包括柵極、源極和漏極,所述第一電極與所述源極或所述漏極電連接;所述輔助電極與所述第一電極、所述柵極和所述漏極中的至少之一同層設置。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述輔助電極與所述第一電極和所述柵極均同層設置。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述輔助電極與所述第一電極和所述漏極均同層設置。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述輔助電極與所述柵極和所述漏極均同層設置。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述輔助電極與所述第一電極、所述柵極和所述漏極均同層設置。
例如,本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板,還包括設置在所述第二電極和所述輔助電極之間的絕緣結構,其中,所述絕緣結構中設置有多個過孔結構,所述第二電極通過所述多個過孔結構與所述輔助電極并聯。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述第二電極在所述襯底基板上的正投影與所述輔助電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重合。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述第一電極包括第一金屬導電層、透明導電層或者第一金屬導電層和透明導電層形成的疊層結構,所述第二電極包括第二金屬導電層。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述第一金屬導電層的厚度為80~120nm,所述第二金屬導電層的厚度為3~20nm。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述第一電極為陽極,所述第二電極為陰極,或者,所述第一電極為陰極,所述第二電極為陽極。
例如,本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板,還包括遮光部,所述遮光部與所述第一電極同層同材料設置,所述遮光部與所述輔助電極連接或者不連接。
例如,在本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板中,所述遮光部在所述襯底基板上的正投影與所述驅動晶體管在所述襯底基板上的正投影重合。
例如,本發明至少一實施例提供的OLED陣列基板還包括開關晶體管,其中,所述遮光部在所述襯底基板上的正投影與所述開關晶體管在所述襯底基板上的正投影重合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





