[發(fā)明專利]雙側(cè)冷卻式電源模塊及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710043130.7
• 申請(qǐng)日: 2017-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN107919349B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 全禹勇;李賢求;樸星珉;張基永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 現(xiàn)代自動(dòng)車株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/49;H01L21/60
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王朋飛;張晶

1.一種雙側(cè)冷卻式電源模塊，在所述雙側(cè)冷卻式電源模塊中，一對(duì)半導(dǎo)體芯片設(shè)置在上基板和下基板之間，所述雙側(cè)冷卻式電源模塊包括：

輸出端子引線，其配置為分別設(shè)置在所述上基板的下表面上并且每個(gè)與所述一對(duì)半導(dǎo)體芯片連接；

正端子引線，其配置為設(shè)置在所述下基板的上表面的一側(cè)，以與從所述一對(duì)半導(dǎo)體芯片中選擇的任一個(gè)半導(dǎo)體芯片連接；以及

負(fù)端子引線，其配置為設(shè)置在所述下基板的上表面的另一側(cè)，以與所述一對(duì)半導(dǎo)體芯片的另一個(gè)半導(dǎo)體芯片連接，

其中，所述半導(dǎo)體芯片包括設(shè)置在所述輸出端子引線和所述正端子引線之間的第一半導(dǎo)體芯片和設(shè)置在所述輸出端子引線和所述負(fù)端子引線之間的第二半導(dǎo)體芯片，

所述雙側(cè)冷卻式電源模塊進(jìn)一步包括：

第一間隔件，其配置為設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述輸出端子引線之間，使得所述上基板、所述輸出端子引線、所述第一間隔件、所述第一半導(dǎo)體芯片、所述正端子引線以及所述下基板順序連接；以及第二間隔件，其配置為設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體芯片和所述負(fù)端子引線之間，使得所述上基板、所述輸出端子引線、所述第二半導(dǎo)體芯片、所述第二間隔件、所述負(fù)端子引線以及所述下基板順序連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙側(cè)冷卻式電源模塊，其中在所述上基板和所述輸出端子引線之間，在所述下基板和所述正端子引線之間，以及在所述下基板和所述負(fù)端子引線之間分別進(jìn)行釬焊接合，并且

在所述半導(dǎo)體芯片和所述輸出端子引線之間，在所述半導(dǎo)體芯片和所述正端子引線之間以及在所述半導(dǎo)體芯片和所述負(fù)端子引線之間進(jìn)行焊接接合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙側(cè)冷卻式電源模塊，其中所述下基板包括陶瓷材料的下陶瓷層；正端子層，其設(shè)置在所述下陶瓷層的上表面的一側(cè)以與所述正端子引線接合；以及負(fù)端子層，其設(shè)置在所述下陶瓷層的上表面的另一側(cè)以與所述負(fù)端子引線接合，并且

所述正端子層和所述負(fù)端子層設(shè)置為彼此絕緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙側(cè)冷卻式電源模塊，進(jìn)一步包括：

第一信號(hào)引線，其配置為與所述第一半導(dǎo)體芯片連接以發(fā)送和接收控制信號(hào)；第二信號(hào)引線，其配置為與所述第二半導(dǎo)體芯片連接以發(fā)送和接收所述控制信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙側(cè)冷卻式電源模塊，其中在所述正端子引線和所述第一半導(dǎo)體芯片之間以及在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第一間隔件之間分別進(jìn)行焊接接合，

在所述輸出端子引線和所述第二半導(dǎo)體芯片之間以及在所述第二半導(dǎo)體芯片和所述第二間隔件之間分別進(jìn)行焊接接合，

在所述上基板和所述輸出端子引線之間以及在所述輸出端子引線和所述第一間隔件之間分別進(jìn)行釬焊接合，

在所述下基板和所述負(fù)端子引線之間以及在所述負(fù)端子引線和所述第二間隔件之間分別進(jìn)行釬焊接合，并且

在所述下基板和所述正端子引線之間進(jìn)行釬焊接合。

6.一種雙側(cè)冷卻式電源模塊的制造方法，在所述制造方法中，一對(duì)半導(dǎo)體芯片設(shè)置在上基板和下基板之間，所述制造方法包括：

上模塊組裝步驟，其將輸出端子引線設(shè)置在所述上基板的下表面上并將第一間隔件設(shè)置在所述輸出端子引線的下表面上；

下模塊組裝步驟，其將正端子引線設(shè)置在所述下基板的上表面的一側(cè)，將負(fù)端子引線設(shè)置在所述下基板的上表面的另一側(cè)，并將第二間隔件設(shè)置在所述負(fù)端子引線的上表面上；以及

模塊聯(lián)接步驟，其將第一半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述第一間隔件和所述正端子引線之間并將第二半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述第二間隔件和所述負(fù)端子引線之間，以在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片之間聯(lián)接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中在所述上模塊組裝步驟中，在所述上基板和所述輸出端子引線之間以及在所述輸出端子引線和所述第一間隔件之間分別進(jìn)行釬焊接合。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中在所述下模塊組裝步驟中，在所述下基板和所述負(fù)端子引線之間，在所述負(fù)端子引線和所述第二間隔件之間以及在所述下基板和所述正端子引線之間分別進(jìn)行釬焊接合。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中在所述模塊聯(lián)接步驟中，在所述正端子引線和所述第一半導(dǎo)體芯片之間以及在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第一間隔件之間分別進(jìn)行焊接接合，并且

在所述輸出端子引線和所述第二半導(dǎo)體芯片之間以及在所述第二半導(dǎo)體芯片和所述第二間隔件之間分別進(jìn)行焊接接合。