[發明專利]一種全透明薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201710040513.9
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN108335985B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 張永暉;梅增霞;梁會力;杜小龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/44;H01L29/423;H01L29/786
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;李科

1.一種全透明薄膜晶體管的制備方法，其中，將所述全透明薄膜晶體管的透明導電柵電極層作為光刻掩膜，通過透明基底的背面曝光光刻膠，所述透明基底對于曝光光束的透射率高于60％，而所述透明導電柵電極層對于曝光光束的透射率低于5％，其中，所述透明導電柵電極層的材料為ITO、AZO、GZO或FTO，所述曝光光束的波長為200nm～350nm。

2.根據權利要求1所述的制備方法，包括如下步驟：

步驟一：在所述透明基底上制備所述透明導電柵電極層；

步驟二：在所述透明導電柵電極層上依次制備絕緣層和溝道層；

步驟三：在步驟二所得到的樣品之上制備所述光刻膠；

步驟四：通過所述透明基底背面曝光并圖案化所述光刻膠；

步驟五：在步驟四所得到的樣品之上制備透明導電層；以及

步驟六：去除光刻膠以及所述光刻膠之上的透明導電層。

3.根據權利要求1所述的制備方法，包括如下步驟：

步驟一：在所述透明基底上制備所述透明導電柵電極層；

步驟二：在所述透明導電柵電極層上制備絕緣層；

步驟三：在步驟二所得到的樣品之上制備所述光刻膠；

步驟四：通過所述透明基底背面曝光并圖案化所述光刻膠；

步驟五：在步驟四所得到的樣品之上制備透明導電層；

步驟六：去除所述光刻膠以及所述光刻膠之上的透明導電層；以及

步驟七：在步驟六所得到的樣品之上制備溝道層。

4.根據權利要求2或3所述的制備方法，其中，在所述步驟一中，所述透明導電柵電極層為類“8”字形。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其中，所述溝道層位于與所述透明導電柵電極層的中間部分相對應的區域之上。

6.根據權利要求2或3所述的制備方法，其中，所述透明基底的材料為PDMS、PMMA、PET、PVC或PC。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其中，采用卷到卷打印的方法制備所述透明導電柵電極層、所述絕緣層、所述溝道層、所述光刻膠和所述導電層。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其中，所述曝光光束為254nm的紫外光或248nm的紫外光。

9.一種采用根據權利要求1-8中任一項所述的制備方法制備的全透明薄膜晶體管。