[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710040237.6
• 申請(qǐng)日: 2017-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN106773446A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林明彥;吳坤;巴斯·鮑艾蒙;張晶;范延江;曾凡初;殷熙梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張家港康得新光電材料有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/29
• 分類號(hào): G02F1/29;G02F1/1343;G02B27/22
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 趙囡囡,吳貴明

1.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括：

觸控顯示結(jié)構(gòu)(01)，所述觸控顯示結(jié)構(gòu)(01)輸出影像光(100)；

設(shè)置在所述觸控顯示結(jié)構(gòu)(01)的出光方向上的可切換透鏡結(jié)構(gòu)(02)，所述可切換透鏡結(jié)構(gòu)(02)包括：

平凹透鏡層(7)，包括多個(gè)依次排列的柱狀凹透鏡(71)；

電光材料層，所述電光材料層是與所述平凹透鏡層(7)形狀互補(bǔ)的平凸透鏡層；

至少兩個(gè)電極，設(shè)置于所述電光材料層的遠(yuǎn)離所述平凹透鏡層(7)的一側(cè)，所述電極間隔設(shè)置并在所述平凹透鏡層(7)上的投影分別位于所述柱狀凹透鏡(71)的不同邊界處；

通過調(diào)節(jié)相鄰兩個(gè)所述電極之間的電壓以控制所述電光材料層的折射率變化，實(shí)現(xiàn)所述可切換透鏡結(jié)構(gòu)(02)的2D顯示狀態(tài)和3D顯示狀態(tài)的切換，同時(shí)相鄰兩個(gè)所述電極之間的間隔耦合所述觸控顯示結(jié)構(gòu)(01)的電容感應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述至少兩個(gè)電極包括多個(gè)平行設(shè)置的第一電極(21)與多個(gè)平行設(shè)置的第二電極(31)，所述第一電極(21)與所述第二電極(31)交替設(shè)置，所述可切換透鏡結(jié)構(gòu)(02)還包括第三電極(22)與第四電極(32)，且所述第三電極(22)與各所述第一電極(21)連接，所述第四電極(32)與各所述第二電極(31)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述第三電極(22)與所述第四電極(32)平行設(shè)置，且各所述第一電極(21)與各所述第二電極(31)設(shè)置在所述第三電極(22)與所述第四電極(32)之間，所述第一電極(21)與所述第二電極(31)平行設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，任意相鄰的兩個(gè)所述第一電極(21)之間的間距均為P_E，且任意相鄰的兩個(gè)所述第二電極(31)之間的間距均為P_E，任意兩個(gè)相鄰的所述柱狀凹透鏡(71)中心的間距均為P_L，且P_L＝1/2P_E。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述電光材料層具有尋常光折射率n_o與非常光折射率n_e，各所述柱狀凹透鏡(71)的折射率為n_r，n_o＝n_r，所述顯示裝置處于2D顯示狀態(tài)時(shí)，所述電光材料層的折射率為n_o，所述顯示裝置處于3D顯示狀態(tài)時(shí)，所述電光材料層的折射率為n_e。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述電光材料層為正型液晶層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述電光材料層包括多個(gè)電光材料分子(5)，當(dāng)所述顯示裝置處于2D顯示狀態(tài)時(shí)，各所述電光材料分子(5)的長(zhǎng)軸方向與各所述柱狀凹透鏡(71)的長(zhǎng)度方向平行；當(dāng)所述顯示裝置處于3D顯示狀態(tài)時(shí)，各所述電光材料分子(5)的長(zhǎng)軸方向與各所述柱狀凹透鏡(71)的長(zhǎng)度方向垂直。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，各所述柱狀凹透鏡(71)靠近所述電光材料層的表面為凹表面(071)，各所述凹表面(071)是圓弧面、多個(gè)平面形成的表面或者拋物面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述可切換透鏡結(jié)構(gòu)(02)還包括：

第一基底(1)，設(shè)置在所述電極的遠(yuǎn)離所述電光材料層的一側(cè)；

第二基底(8)，與所述第一基底(1)相對(duì)設(shè)置，設(shè)置在所述平凹透鏡層(7)的遠(yuǎn)離所述電光材料層的一側(cè)；

第一配向?qū)?4)，設(shè)置在所述電極的遠(yuǎn)離所述第一基底(1)的表面上以及所述第一基底(1)的靠近所述電光材料層的裸露表面上；以及

第二配向?qū)?6)，設(shè)置在各所述柱狀凹透鏡(71)與所述電光材料層之間。