[發(fā)明專利]半導(dǎo)體切換裝置以及制造半導(dǎo)體切換裝置的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710040199.4
• 申請(qǐng)日: 2017-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107017304A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬哈茂德·謝哈布·穆罕默德·阿爾沙蒂;約翰內(nèi)斯·J·T·M·唐克爾;帕圖斯·胡貝圖斯·柯奈利斯·馬尼;伊戈?duì)枴げ剪攦?nèi)斯;阿努拉格·沃赫拉;讓·威廉·斯倫特伯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 倪斌

1.一種用于切換射頻信號(hào)的半導(dǎo)體切換裝置，其特征在于，所述裝置包括：

第一半導(dǎo)體區(qū)域，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域具有第一導(dǎo)電性類型；

位于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域中的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，其中所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域具有第二導(dǎo)電性類型，其中所述第二導(dǎo)電性類型不同于所述第一導(dǎo)電性類型；

柵極，所述柵極分離所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域；以及

至少一個(gè)沉降區(qū)域，所述至少一個(gè)沉降區(qū)域具有所述第二導(dǎo)電性類型，其中每個(gè)沉降區(qū)域可連接到外部電勢(shì)以用于吸引少數(shù)載流子遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域以減少在所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之間的接合點(diǎn)處的泄漏電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述至少一個(gè)沉降區(qū)域中的至少一個(gè)位于具有所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域的所述第一半導(dǎo)體區(qū)域中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域中的至少一個(gè)沉降區(qū)域通過(guò)間隔物與所述源極區(qū)域或所述漏極區(qū)域分離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述間隔物包括位于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域中的隔離區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述間隔物包括虛擬柵極。

6.根據(jù)權(quán)利要求2到5中任一權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，所述沉降區(qū)域中的一個(gè)是位于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域中的所述源極區(qū)域附近的源極沉降區(qū)域并且其中所述沉降區(qū)域中的一個(gè)是位于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域中的所述漏極區(qū)域附近的漏極沉降區(qū)域。

7.根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，所述至少一個(gè)沉降區(qū)域中的至少一個(gè)位于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域外部并且電連接到所述裝置的下層襯底區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，位于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域外部的至少一個(gè)沉降區(qū)域位于通過(guò)隔離區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域分離的半導(dǎo)體區(qū)域中。

9.根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，包括具有所述第一導(dǎo)電性類型的至少一個(gè)另外的半導(dǎo)體區(qū)域，其中所述至少一個(gè)另外的半導(dǎo)體區(qū)域可連接到外部電勢(shì)以用于將所述電勢(shì)施加到所述第一半導(dǎo)體區(qū)域。

10.一種制造用于切換射頻信號(hào)的半導(dǎo)體切換裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有第一導(dǎo)電性類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域；

形成柵極；

形成位于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域中的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，其中所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域具有第二導(dǎo)電性類型，其中所述第二導(dǎo)電性類型不同于所述第一導(dǎo)電性類型，其中所述柵極分離所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域；以及

形成具有所述第二導(dǎo)電性類型的至少一個(gè)沉降區(qū)域，其中每個(gè)沉降區(qū)域可連接到外部電勢(shì)以用于吸引少數(shù)載流子遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域以減少所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之間的接合點(diǎn)處的泄漏電流。