[發明專利]無邊框顯示器件及其制造方法在審
| 申請號: | 201710039622.9 | 申請日: | 2017-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN108336106A | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發明(設計)人: | 林立 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G09G3/32 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示器件 外圍驅動電路 介質層 無邊框 絕緣層 薄膜晶體管 驅動陣列 襯底 通孔 邊框 覆蓋絕緣層 無框結構 形式形成 左右兩側 轉印 占據 制作 制造 | ||
1.一種無邊框顯示器件的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
形成襯底;
在所述襯底上以轉印的形式形成一個或多個外圍驅動電路;
在所述外圍驅動電路上覆蓋絕緣層;
在所述絕緣層上形成薄膜晶體管驅動陣列,并在所述絕緣層上設置通孔;
在所述薄膜晶體管驅動陣列上形成第二介質層;
在所述第二介質層上設置OLED顯示結構,并在所述第二介質層上設置通孔。
2.根據權利要求1所述的無邊框顯示器件的制作方法,其特征在于,所述在所述襯底上以轉印的形式形成一個或多個外圍驅動電路的步驟包括:
在具有多個轉印位置的母版上選擇一個或多個所需轉印位置沉積多晶硅材料層,以形成外圍驅動電路芯片;
將形成在母版對應位置的外圍驅動電路芯片轉印到所述襯底上以形成外圍驅動電路。
3.根據權利要求1所述的無邊框顯示器件的制作方法,其特征在于,在所述絕緣層上形成薄膜晶體管驅動陣列的步驟包括:
在所述絕緣層上形成有源層;
在所述有源層上形成第一介質層;
在所述第一介質層上形成柵極層;
在所述第一介質層及柵極層的表面形成隔離層;
在所述隔離的表面形成源極和漏極。
4.根據權利要求1所述的無邊框顯示器件的制作方法,其特征在于,在所述絕緣層上形成薄膜晶體管驅動陣列的步驟包括:
在具有多個轉印位置的母版上選擇一個或多個所需轉印位置形成薄膜晶體管驅動陣列芯片;
將形成在母版對應位置的薄膜晶體管驅動陣列芯片通過轉印的方式轉印至所述絕緣層上以形成薄膜晶體管驅動陣列。
5.根據權利要求3-4任一所述的無邊框顯示器件的制作方法,其特征在于,所述有源層為氧化物半導體層。
6.一種無邊框顯示器件,其特征在于,包括:
襯底;
外圍驅動電路,設置于所述襯底上;
絕緣層,形成于所述襯底及所述外圍驅動電路的表面;
薄膜晶體管驅動陣列,形成于所述絕緣層上,包括依次設置的有源層、第一介質層、柵極層、隔離層、源極、漏極,所述第一介質層和所述絕緣層中均設有通孔,所述柵極層通過所述通孔與所述外圍驅動電路電性連接。
7.根據權利要求6所述的無邊框顯示器件,其特征在于,所述外圍驅動電路包括層疊設置的低溫多晶硅材料層、絕緣層、金屬層。
8.根據權利要求6所述的無邊框顯示器件,其特征在于,所述柵極層位于所述有源層的上方并正對所述有源層的位置。
9.根據權利要求6所述的無邊框顯示器件,其特征在于,所述有源層為氧化物半導體層。
10.根據權利要求6-9任一所述的無邊框顯示器件,其特征在于,所述無邊框顯示器件還包括:
第二介質層,覆蓋所述源極和漏極;
OLED結構,形成于所述第二介質層上,并與所述漏極電性連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





