[發明專利]沉積CsPbBr3納米片薄膜光電探測器的制備方法

有效

• 申請號: 201710039265.6
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN106784162B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 楊智;汪敏強
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/09
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 安彥彥

1.沉積CsPbBr₃納米片薄膜光電探測器的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：

1)將濃度為10mg/mL的CsPbBr₃納米片十八烯溶液離心清洗后，分散到有機溶劑中得到CsPbBr₃納米片有機溶劑分散液；其中，CsPbBr₃納米片的橫向長度為500nm；

2)將容器放到減震臺面上，然后將10片圖形化金叉指電極排列放在容器內，加入CsPbBr₃納米片有機溶劑分散液；

3)容器敞口放置直到所有的有機溶劑完全蒸發，得到沉積CsPbBr₃納米片薄膜的金叉指電極；其中，CsPbBr₃納米片薄膜的厚度為1.2微米；

4)將沉積CsPbBr₃納米片的金叉指電極熱退火后，得到芯片；

5)將制備好的芯片連接到標準TO-5管殼的引腳上，然后把開有石英窗的管帽粘結到底座上，完成光電探測器的制備；

所述步驟1)中離心清洗的轉速為500～5000rpm，離心清洗的次數為1～5次；

所述步驟1)中有機溶劑為正己烷與甲苯的混合物，或正己烷與正辛烷的混合物；

所述步驟2)中CsPbBr₃納米片有機溶劑分散液的濃度為0.001～0.5g/mL；

所述步驟3)中蒸發的溫度為10～50℃；

所述步驟4)中熱退火的氣氛為空氣、氮氣或氬氣；

所述步驟4)中熱退火的溫度為50～200℃，熱退火的時間為0.5～2h；

圖形化金叉指電極通過以下方法制得：在不同的基底上通過光刻工藝制備間距為25微米的圖形化金叉指電極；

所述基底為硅片、玻璃片、石英玻璃片或柔性基底；

硅片基底尺寸為5×5mm²，叉指電極間距為25微米，溝道有效面積是1.5mm²。

2.根據權利要求1所述的沉積CsPbBr₃納米片薄膜光電探測器的制備方法，其特征在于，柔性基底為PET或PI柔性基底。