[發(fā)明專利]一種提升多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的方法及電池

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710038779.X
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN106816485A
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杜玉;趙巖磊;高茜;張振衡;鄭小堯;張磊
• 申請（專利權(quán)）人: 衡水英利新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所13120
• 代理人: 王榮君

1.一種提升多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的方法，在經(jīng)擴散形成PN結(jié)的多晶硅硅片的擴散層一面制備主柵線和細柵線，其特征在于：所述細柵線包括環(huán)形和/或弧形柵線，所述環(huán)形和/或弧形柵線為間隔分布的多個，且均以所述硅片的中心為圓心，所述環(huán)形和/或弧形柵線的分布密度根據(jù)所述擴散層內(nèi)距離所述硅片中心不同距離的各區(qū)域的方塊電阻進行設(shè)置，即方塊電阻大的區(qū)域，對應(yīng)設(shè)置所述環(huán)形和/或弧形柵線的分布密度大；方塊電阻小的區(qū)域，對應(yīng)設(shè)置所述環(huán)形和/或弧形柵線的分布密度??；

所述環(huán)形和/或弧形柵線直接與主柵線連接或者通過輔助柵線與所述主柵線連接，所述環(huán)形和/或弧形柵線與輔助柵線的線寬均小于所述主柵線。

2.根據(jù)權(quán)利要求１所述的方法，其特征在于所述環(huán)形和/或弧形柵線的分布密度由所述硅片的中心向外周總體呈逐漸變小的趨勢。

3.根據(jù)權(quán)利要求１所述的方法，其特征在于所述環(huán)形和/或弧形柵線由所述硅片的中心向外按層分布，每層內(nèi)相鄰環(huán)形和/或弧形柵線的間距相等，且內(nèi)層的環(huán)形和/或弧形柵線的間距小于外層的環(huán)形和/或弧形柵線的間距。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述環(huán)形和/或弧形柵線層包括3-5層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于環(huán)形和/或弧形柵線層包括4層，最小的環(huán)形和/或弧形柵線的半徑為0.05mm-2mm，4層環(huán)形和/或弧形柵線內(nèi)部間距依次變大，分別為0.2mm-1mm、1.5mm-2.5mm、3.5mm-4.5mm、5.5mm-6.5mm；4層環(huán)形和/或弧形柵線內(nèi)部根數(shù)分別為1-16根、10-20根、4-8根、1-10根。

6.根據(jù)權(quán)利要求１-5中任意一項所述的方法，其特征在于所述硅片為方形。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述硅片上同時設(shè)有環(huán)形柵線層和弧形柵線層，且所述弧形柵線層位于環(huán)形柵線層之外。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于環(huán)形柵線層包括與所述硅片外邊相切的環(huán)形柵線，為最大的環(huán)形柵線，所述弧形柵線層位于所述最大的環(huán)形柵線之外，并與所述硅片的外邊相交。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于輔助柵線包括中心柵線和邊柵線，所述中心柵線為與主柵線垂直且穿過所述硅片中心的細柵線，用于連接所述環(huán)形柵線和主柵線，所述邊柵線為設(shè)于所述硅片的四邊上并與所述最大的環(huán)形柵線相切連接的細柵線，所述邊柵線用于連接所述弧形柵線和主柵線。

10.采用如權(quán)利要求1-9所述方法制得的多晶硅太陽能電池。