[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)裝置及其電阻補(bǔ)償電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710038501.2
• 申請(qǐng)日: 2017-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN107705813B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金泰鎬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C13/00
• 分類號(hào): G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，包括：

存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列包括耦接在多個(gè)字線和多個(gè)位線之間的多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及

電阻補(bǔ)償電路，被配置為根據(jù)要訪問的存儲(chǔ)單元的位置來產(chǎn)生補(bǔ)償電阻值，以及將補(bǔ)償電阻值提供給對(duì)應(yīng)的字線和對(duì)應(yīng)的位線，

行選擇電路，被配置為基于行地址信號(hào)來選擇所述多個(gè)字線之中的至少一個(gè)；以及

列選擇電路，被配置為基于列地址信號(hào)來選擇所述多個(gè)位線之中的至少一個(gè)，

其中，所述存儲(chǔ)單元陣列在字線方向和位線方向上被劃分為多個(gè)區(qū)域，以及

所述電阻補(bǔ)償電路被配置為基于根據(jù)要訪問的存儲(chǔ)單元距所述行選擇電路和所述列選擇電路的距離而產(chǎn)生的區(qū)域確定信號(hào)來產(chǎn)生補(bǔ)償電阻值。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述電阻補(bǔ)償電路被配置為產(chǎn)生與距所述行選擇電路和所述列選擇電路的距離成反比的補(bǔ)償電阻值。

3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述電阻補(bǔ)償電路被配置為產(chǎn)生與距所述行選擇電路的距離成反比的字線側(cè)的補(bǔ)償電阻值，以及產(chǎn)生與距所述列選擇電路的距離成反比的位線側(cè)的補(bǔ)償電阻值。

4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述電阻補(bǔ)償電路被配置為包括電阻提供單元，所述電阻提供單元的電阻值根據(jù)要訪問的存儲(chǔ)單元的位置而確定。

5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述電阻補(bǔ)償電路被配置為包括多個(gè)布線，所述多個(gè)布線的電阻值根據(jù)要訪問的存儲(chǔ)單元的位置而確定。

6.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)虛設(shè)單元線，以及

所述電阻補(bǔ)償電路被配置為根據(jù)要訪問的存儲(chǔ)單元的位置來改變所述多個(gè)虛設(shè)單元線的電阻。

7.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)虛設(shè)單元線，以及

所述電阻補(bǔ)償電路被配置為根據(jù)要訪問的存儲(chǔ)單元的位置來確定所述多個(gè)虛設(shè)單元線的電連接關(guān)系。

8.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述字線是具有電短路部分的全局字線，以及

所述電阻補(bǔ)償電路被配置為電耦接到所述全局字線的短路部分。

9.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述位線是具有電短路部分的全局位線，以及

所述電阻補(bǔ)償電路被配置為電耦接到所述全局位線的短路部分。

10.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每個(gè)包括：

儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)；以及

訪問元件，所述訪問元件與所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)串聯(lián)耦接，

其中，所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)用其電阻值能夠根據(jù)施加的電流量而改變的材料來配置。

11.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，包括：

全局字線，所述全局字線從行選擇電路延伸并且具有耦接到存儲(chǔ)單元陣列的短路部分；

全局位線，所述全局位線從讀取/寫入電路延伸并且具有耦接到存儲(chǔ)單元陣列的短路部分；以及

電阻補(bǔ)償電路，被配置為電耦接到所述全局字線的短路部分以及所述全局位線的短路部分，并且根據(jù)要訪問的存儲(chǔ)單元的位置來產(chǎn)生補(bǔ)償電阻值。

12.如權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述電阻補(bǔ)償電路被配置為產(chǎn)生與距所述行選擇電路的距離成反比的字線側(cè)的補(bǔ)償電阻值，以及產(chǎn)生與距所述讀取/寫入電路的距離成反比的位線側(cè)的補(bǔ)償電阻值。

13.如權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)虛設(shè)單元線，以及

所述電阻補(bǔ)償電路被配置為根據(jù)要訪問的存儲(chǔ)單元的位置、通過改變所述多個(gè)虛設(shè)單元線的電阻而產(chǎn)生補(bǔ)償電阻值。