[發明專利]使用集成二極管的靜電放電保護在審
| 申請號： | 201710038279.6 | 申請日： | 2017-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN107068675A | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發明（設計）人： | 賴大偉 | 申請（專利權）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 荷蘭埃*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 集成 二極管 靜電 放電 保護 | ||
1.一種設備，其特征在于包括：
第一電路，其被配置成提供相對于第一節點與第二節點之間施加的靜電放電(ESD)脈沖的ESD保護，所述第一電路包括：
雙極晶體管的串聯堆疊，其被配置成響應于所述ESD脈沖而分流所述第一和第二節點之間的電流；以及
二極管，其與所述雙極晶體管堆疊串聯連接，并且配置成在分流所述第一和第二節點之間的電流時降低所述第一電路的突返保持電壓。
2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于所述串聯堆疊的所述雙極晶體管是PNP雙極晶體管。
3.根據權利要求2所述的設備，其特征在于進一步包括導電跡線，所述導電跡線將所述二極管的陽極連接到來自所述串聯堆疊的特定雙極晶體管的集電極。
4.根據權利要求3所述的設備，其特征在于所述第一電路被配置成使用電流路徑分流所述第一和第二節點之間的電流，所述電流路徑繞過所述特定雙極晶體管的發射極到集電極的結。
5.根據權利要求3所述的設備，其特征在于進一步包括P+摻雜條，所述P+摻雜條將所述特定雙極晶體管的發射極與所述特定雙極晶體管的基極物理上隔開，并且被配置成降低所述突返保持電壓。
6.根據權利要求2所述的設備，其特征在于所述特定PNP雙極晶體管占據的面積小于所述串聯堆疊中的另一PNP雙極晶體管的面積的一半。
7.一種用于靜電放電(ESD)保護電路的方法，其特征在于所述方法包括：
在第一節點上接收ESD脈沖；
響應于所述ESD脈沖和所述ESD保護電路處在斷開狀態，使觸發電流通過所述ESD保護電路內的觸發路徑，所述觸發路徑包括雙極晶體管的串聯堆疊和與所述雙極晶體管的串聯堆疊串聯連接的二極管；
響應于所述觸發電流，通過啟用嵌入硅可控整流器(eSCR)組件而使所述ESD保護電路轉變成接通狀態，所述嵌入硅可控整流器組件包括來自所述雙極晶體管的串聯堆疊的特定雙極晶體管與所述二極管的組合；以及
響應于轉變成所述接通狀態，通過所述雙極晶體管的串聯堆疊和所述二極管從所述ESD脈沖分流電流。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于所述觸發路徑包括：
穿過n型阱區域并且從所述特定雙極晶體管的發射極到所述特定雙極晶體管的集電極的部分，以及
將所述特定雙極晶體管的所述集電極連接到所述二極管的陽極的部分。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于所述分流包括通過eSCR電流路徑分流所述電流，所述eSCR電流路徑穿過n型阱區域并且是從所述特定雙極晶體管的發射極到陰極。
10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于進一步包括使用包圍所述雙極晶體管的串聯堆疊的基極的P+區域防止從所述雙極晶體管的串聯堆疊的基極到襯底的DC崩潰。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
