[發(fā)明專利]一種使用非晶碳作為犧牲層制作微測輻射熱計微橋結(jié)構(gòu)的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710037813.1
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN107055464A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱棟;王鵬;陳文禮;王宏臣
• 申請（專利權(quán)）人: 煙臺睿創(chuàng)微納技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G01J5/24
• 代理公司: 煙臺上禾知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)37234
• 代理人: 劉志毅

1.一種使用非晶碳作為犧牲層制作微測輻射熱計微橋結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1.在包含讀出電路為基底的晶圓上制作金屬反射層，薄膜厚度0.05～0.40μm，對金屬反射層進行圖形化處理，圖形化處理之后的金屬反射層包括若干個金屬塊，并在圖形化處理之后的金屬反射層沉積絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層為氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜；

步驟2.在所述絕緣介質(zhì)層上制備犧牲層，所述犧牲層為非晶碳薄膜，利用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積來實現(xiàn)非晶碳薄膜的制備，制備的薄膜厚度為0.5～500μm，并對犧牲層進行圖形化處理，圖形化處理的犧牲層上形成錨點孔，接著，利用化學(xué)機械拋光工藝(CMP)對非晶碳犧牲層表面進行平坦化；

步驟3.在平坦化后的犧牲層上利用等離子增強化學(xué)氣相沉積制備支撐層，所述支撐層為低應(yīng)力氮化硅薄膜；

步驟4.利用光刻和蝕刻，蝕刻掉所述錨點孔底部的支撐層和絕緣介質(zhì)層，露出下面的金屬塊，形成通孔；

步驟5.利用鎢插塞工藝在所述錨點孔和通孔內(nèi)沉積金屬鎢,形成電學(xué)連接，利用化學(xué)機械拋光工藝將不平整的金屬鎢表面進行平坦化,使其與犧牲層保持在同一水平面上；

步驟6.制備金屬電極層和熱敏層：方法一，在支撐層利用物理氣相沉積制備金屬電極層，并對金屬電極層進行圖形化處理；接著，在圖形化后的金屬電極層上沉積電極保護層，并對電極保護層進行圖形化處理，圖形化后的電極保護層上形成接觸孔，所述接觸孔終止于圖形化后的金屬電極層；然后，采用離子束沉積或物理氣相沉積的方法在圖形化后的電極保護層上沉積熱敏層，并對熱敏層進行圖形化處理；方法二，先在支撐層上采用離子束沉積物理氣相沉積的方法生長熱敏層，并對其進行圖形化處理，再利用物理氣相沉積的方法在熱敏層上制備電極保護層，并對所述電極保護層進行圖形化處理，圖形化后的電極保護層上形成接觸孔，所述接觸孔終止于所述熱敏層；然后在圖形化后的電極保護層上制備金屬電極層，并對其進行圖形化處理；

步驟7.利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積的方法在圖形化后熱敏層或金屬電極層上制備鈍化層，所述鈍化層為低應(yīng)力氮化硅薄膜，并對其進行圖形化處理；

步驟8.犧牲層的釋放，把完成鈍化層圖形化的器件放入等離子體灰化裝置或等離子體刻蝕裝置中，利用氧氣等離子體灰化或等離子體刻蝕，去除非晶碳犧牲層，形成最終的微橋結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用非晶碳作為犧牲層制作微測輻射熱計微橋結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層的厚度0.02～0.30μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用非晶碳作為犧牲層制作微測輻射熱計微橋結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述支撐層厚度為0.10～0.30μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用非晶碳作為犧牲層制作微測輻射熱計微橋結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述鈍化層厚度為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用非晶碳作為犧牲層制作微測輻射熱計微橋結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述電極保護層為氮化硅薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用非晶碳作為犧牲層制作微測輻射熱計微橋結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述熱敏層為氧化釩薄膜。