[發(fā)明專利]一種陣列型MEMS氣體傳感器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710037812.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106802339A | 公開(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王宏臣;邱棟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 煙臺(tái)睿創(chuàng)微納技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N33/00 | 分類號(hào): | G01N33/00 |
| 代理公司: | 煙臺(tái)上禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)37234 | 代理人: | 劉志毅 |
| 地址: | 264000 山東省*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 mems 氣體 傳感器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明設(shè)計(jì)一種陣列型MEMS氣體傳感器,半導(dǎo)體技術(shù)中的微機(jī)電系統(tǒng)MEMS工藝制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)
物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展為集成化、低功耗、低成本的氣體傳感器帶來(lái)了廣泛的應(yīng)用需求。工業(yè)和日常生活中實(shí)現(xiàn)對(duì)危險(xiǎn)品氣體,諸如CO,CO2,NO,NO2,CH4的高靈敏檢測(cè),可以避免其泄露對(duì)社會(huì)財(cái)產(chǎn)和公共安全造成的巨大危害。在提高傳感器探測(cè)性能和便攜性的同時(shí),實(shí)現(xiàn)多種氣體同時(shí)檢測(cè),滿足物聯(lián)網(wǎng)、復(fù)雜環(huán)境對(duì)多氣體傳感器的發(fā)展需求。Rae System公司于2002年提出將分立的紅外光源、探測(cè)器、氣室集成在一個(gè)TO5管殼中作為小型化的紅外氣體傳感器,并且能夠用于檢測(cè)碳?xì)浠衔颒C、二氧化碳CO2、一氧化碳CO和一氧化氮NO氣體濃度,但是并未實(shí)現(xiàn)多種氣體同時(shí)檢測(cè),多種氣體進(jìn)行檢測(cè)前需分離增加了檢測(cè)的復(fù)雜度和成本。
中北大學(xué)提出的一種多氣體檢測(cè)的紅外氣體傳感器(201310500970.3)是將同一種的紅外氣體傳感器集成在基底上進(jìn)行檢測(cè),雖然能夠同時(shí)檢測(cè)多種氣體,但是所有的氣體傳感器均是同一種,不能有效的區(qū)分檢測(cè)的準(zhǔn)確性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種能夠精準(zhǔn)檢測(cè)多種氣體的陣列型MEMS氣體傳感器。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種陣列型MEMS氣體傳感器,包括包含讀出電路的基底和設(shè)置基底上至少兩個(gè)不同的呈矩陣排列的MEMS氣體傳感器,所述MEMS氣體傳感器表面涂覆滲透選擇性薄膜,所述滲透選擇性薄膜為二氧化硅薄膜或疏水性聚合物薄膜,孔徑尺寸為5~500nm。
進(jìn)一步,所述MEMS氣體傳感器為半導(dǎo)體氣體傳感器、電化學(xué)氣體傳感器、催化燃燒式氣體傳感器、熱導(dǎo)式氣體傳感器、紅外線氣體傳感器中的至少兩種。
進(jìn)一步,所述介質(zhì)層為二氧化硅或氮化硅。
進(jìn)一步,MEMS氣體傳感器為基于MEMS工藝制作的微型氣體傳感器。
本發(fā)明的有益效果是:
(1)該MEMS氣體傳感器可以采用CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝制作,能夠與處理電路單片集成。通過(guò)該方法能夠?qū)崿F(xiàn)氣體傳感器的小型化以及智能化。
(2)多種氣體傳感器集成在同一基底上,不僅能夠同時(shí)檢測(cè)多種氣體,而且能夠保證氣體傳感器系統(tǒng)的穩(wěn)定工作:當(dāng)某一個(gè)氣體傳感器不能工作或者失效時(shí),另外的氣體傳感器可以提供替補(bǔ)工作;另外多種氣體傳感器的集成檢測(cè)同一種氣體時(shí)可以互相提供參考,從而使氣體檢測(cè)更加準(zhǔn)確;檢測(cè)多種氣體時(shí),不同的氣體傳感器會(huì)對(duì)不同的氣體的敏感度不同,從而增加了多種氣體檢測(cè)的靈敏度。
(3)在制作好的MEMS氣體傳感器上涂覆或者沉積滲透性薄膜材料,通過(guò)沉積不同孔徑尺寸的薄膜來(lái)實(shí)現(xiàn)不同氣體的滲透選擇性,能夠增加氣體傳感器對(duì)不同氣體的選擇能力,從而使氣體傳感器識(shí)別氣體的能力提升,提升了傳感器的靈敏度。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
在附圖中,各標(biāo)號(hào)所表示的部件名稱列表如下:1、包含讀出電路的基座,2、第一MEMS氣體傳感器,3、第二MEMS氣體傳感器,4、第三MEMS氣體傳感器,5、第四MEMS氣體傳感器,6、滲透選擇性薄膜。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述,所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。
如圖1所示,一種陣列型MEMS氣體傳感器,包括包含讀出電路的基底和設(shè)置基底上四個(gè)不同的呈矩陣排列的MEMS氣體傳感器,分別為第一MEMS氣體傳感器、第二MEMS氣體傳感器、第三MEMS氣體傳感器和第四MEMS氣體傳感器,所述MEMS氣體傳感器表面涂覆滲透選擇性薄膜,所述滲透選擇性薄膜為二氧化硅薄膜或疏水性聚合物薄膜,孔徑尺寸為5~500nm。
所述MEMS氣體傳感器為半導(dǎo)體氣體傳感器、電化學(xué)氣體傳感器、催化燃燒式氣體傳感器、熱導(dǎo)式氣體傳感器、紅外線氣體傳感器中的四種。
所述介質(zhì)層為二氧化硅或氮化硅,MEMS氣體傳感器為基于MEMS工藝制作的微型氣體傳感器。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于煙臺(tái)睿創(chuàng)微納技術(shù)股份有限公司,未經(jīng)煙臺(tái)睿創(chuàng)微納技術(shù)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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