[發(fā)明專利]基板減薄裝置、減薄基板的方法以及制造半導(dǎo)體封裝的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710037784.9 | 申請日: | 2017-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN106985060A | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 崔相壹;金昞豪;崔洪碩 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | B24B37/10 | 分類號: | B24B37/10;B24B53/017;B24B37/30;B08B3/02;H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 翟然 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板減薄 裝置 減薄基板 方法 以及 制造 半導(dǎo)體 封裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
發(fā)明構(gòu)思涉及基板減薄裝置、通過使用該基板減薄裝置而減薄基板的方法、以及制造半導(dǎo)體封裝的方法,更具體地,涉及允許以相當(dāng)高的可靠性制造非常薄的半導(dǎo)體器件的基板減薄裝置、通過使用該基板減薄裝置而減薄基板的方法、以及制造半導(dǎo)體封裝的方法。
背景技術(shù)
由于在半導(dǎo)體產(chǎn)品的尺寸減小時對制造更輕、更薄、更短和更小的半導(dǎo)體產(chǎn)品的持續(xù)要求,正在嘗試和應(yīng)用滿足該要求的若干工藝。通過減薄半導(dǎo)體基板而減小半導(dǎo)體基板的厚度的工藝包括研磨半導(dǎo)體基板的背面的工藝,并且隨著半導(dǎo)體基板的目標厚度減小,通常更難以保持半導(dǎo)體器件的可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明構(gòu)思提供允許以相當(dāng)高的可靠性制造非常薄的半導(dǎo)體器件的基板減薄裝置。
發(fā)明構(gòu)思還提供減薄基板的方法,該方法允許以相當(dāng)高的可靠性制造非常薄的半導(dǎo)體器件。
發(fā)明構(gòu)思還提供制造薄的并且具有相當(dāng)高的可靠性的半導(dǎo)體封裝的方法。
根據(jù)示例實施方式,基板減薄裝置包括:能夠支撐或者配置為支撐基板的工作盤;可旋轉(zhuǎn)的研磨裝置,包括能夠研磨或者配置為研磨被工作盤支撐的基板的輪頂端;以及清潔裝置,配置為在研磨裝置旋轉(zhuǎn)的同時執(zhí)行輪頂端的同步清潔。
根據(jù)另一示例實施方式,減薄基板的方法包括將基板固定在工作盤上、通過旋轉(zhuǎn)包括輪頂端的研磨裝置而至少部分地研磨基板、以及執(zhí)行輪頂端的同步清潔。
根據(jù)又一示例實施方式,制造半導(dǎo)體封裝的方法包括:在基板的有源表面上形成半導(dǎo)體器件;將保護膜附接在基板的有源表面上;將基板固定在工作盤上使得基板的有源表面面對工作盤;通過旋轉(zhuǎn)包括輪頂端的研磨裝置而至少部分地研磨基板;執(zhí)行輪頂端的同步清潔;將被研磨基板分離為單獨的半導(dǎo)體管芯;通過安裝單獨的半導(dǎo)體管芯而制造半導(dǎo)體封裝。
示例實施方式涉及用于研磨基板的方法,該方法包括固定地附接基板到支撐物;通過旋轉(zhuǎn)包括多個輪頂端的研磨裝置而至少部分地研磨基板;多個輪頂端中的至少一個接觸基板的至少一部分;以及射出壓縮流體到多個輪頂端中的至少一個上,其中射出與至少部分研磨同時被執(zhí)行。
附圖說明
通過結(jié)合附圖的以下詳細說明,發(fā)明構(gòu)思的實施方式將被更清楚地理解,在附圖中:
圖1是根據(jù)實施方式的基板減薄裝置的透視圖;
圖2A和2B是更詳細地示出減薄基板的方法的視圖,其中圖2A是示出通過輪頂端被減薄的基板的透視圖,圖2B是示出其的側(cè)視圖;
圖3是緊接著研磨之后或者在研磨之后不久的輪頂端的表面的放大圖;
圖4是示出當(dāng)基板被磨輪研磨時磨輪與基板之間的位置關(guān)系的平面圖;
圖5是用于概念性地示出具有非平面支撐表面的工作盤(chuck table)與磨輪之間的位置關(guān)系的側(cè)視圖;
圖6A和6B分別是示出其中清潔裝置包括兩個或更多噴嘴的示例實施方式的側(cè)視圖和平面圖;
圖7A和7B分別是示出其中清潔裝置包括兩個或更多噴嘴的另一示例實施方式的側(cè)視圖和平面圖;
圖8A至8D是示出根據(jù)示例實施方式的基板的研磨的時間線和輪頂端的同步清潔的時間線的曲線圖;
圖9是示出根據(jù)示例實施方式的被研磨的基板的厚度變化的示意圖;
圖10是根據(jù)示例實施方式的制造半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖;
圖11至16是示出根據(jù)示例實施方式的制造半導(dǎo)體封裝的方法的工藝次序的視圖。
具體實施方式
圖1是根據(jù)示例實施方式的基板減薄裝置100的透視圖。根據(jù)示例實施方式的基板減薄裝置不局限于用于研磨工藝的裝置的構(gòu)造,并且可以是通過其可以連續(xù)地執(zhí)行或者按不同次序執(zhí)行的一系列的工藝例如研磨工藝、另一研磨工藝、清潔工藝等等的處理裝置的一部分。
參照圖1,在X方向上延伸的矩形開口可以形成在基板減薄裝置100的底框120的上表面中。矩形開口可以被移動板131和基本上防水的蓋132覆蓋,移動板131是與工作盤130一起可移動的。在X方向、Y方向和/或Z方向上移動工作盤130的移動裝置可以提供在基本上防水的蓋132之下。
工作盤130的表面可以是經(jīng)由多孔板吸附和支撐基板W的支撐表面133。支撐表面133可以通過在工作盤130內(nèi)側(cè)的流道連接到吸力源,基板W可以通過施加到支撐表面133的負壓被吸附和固定。
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