[發明專利]存儲器件

有效

• 申請號: 201710037082.0
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN107017264B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 柳璋鉉;樸鎮澤;申宅秀;李成潤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

本公開涉及存儲器件。一種存儲器件，其包括襯底、多個溝道柱、柵堆疊、層間絕緣層、多個第一溝槽、以及至少一個第二溝槽。襯底包括單元陣列區和連接區。溝道柱在單元陣列區中與襯底的上表面交叉。柵堆疊包括圍繞單元陣列區中的構道柱的多個柵電極層。柵電極層在連接區中延伸至不同長度從而形成階梯式結構。層間絕緣層在柵堆疊上。第一溝槽將柵堆疊和層間絕緣層劃分成多個區域。所述至少一個第二溝槽在連接區中的層間絕緣層內并且在第一溝槽之間。

技術領域

在此描述的一個或更多個實施方式涉及存儲器件。

背景技術

提高存儲器件的集成的努力一直在進行。一種具有提高的集成的存儲器件是垂直型存儲器件。在這種類型的存儲器件中，具有垂直晶體管結構的存儲單元按堆疊布局布置。

發明內容

根據一種或更多種實施方式，一種存儲器件包括：襯底，其包括彼此相鄰的單元陣列區和連接區；多個溝道柱，其在單元陣列區中在與襯底的上表面交叉的方向上延伸；柵堆疊，其包括襯底上的多個柵電極層并在單元陣列區中圍繞溝道柱，所述柵電極層在連接區中延伸不同的長度從而形成階梯式結構；層間絕緣層，其在柵堆疊上；多個第一溝槽，其將柵堆疊和層間絕緣層劃分成多個區域；以及至少一個第二溝槽，其在連接區中的層間絕緣層中并且在第一溝槽之間。

根據一種或更多種另外的實施方式，一種存儲器件包括：單元陣列區，其包括在交叉襯底的上表面的方向上延伸的多個溝道柱和與溝道柱相鄰的堆疊在襯底上的多個柵電極層；以及連接區，其與單元陣列區相鄰，且包括：連接至延伸不同長度的柵電極層的多個接觸插塞，以及至少一個在接觸插塞之間的虛設圖案部分。

根據一種或更多種另外的實施方式，一種存儲器件包括：多個溝道柱，其在與襯底的上表面交叉的方向上延伸；多個柵電極層，其堆疊在襯底上從而圍繞溝道柱；多個接觸插塞，其連接至柵電極層；多個第一溝槽，其與襯底的上表面交叉并將柵電極層劃分成多個區域；以及第二溝槽，其在所述區域中的至少一個內并被布置在接觸插塞之間。

根據一種或更多種另外的實施方式，一種存儲器件包括：多個溝道柱；柵堆疊，其包括圍繞溝道柱并且被布置成在鄰近溝道柱的位置形成階梯式結構的多個柵電極層；層間絕緣層，其在柵堆疊上；多個第一溝槽，其將柵堆疊和層間絕緣層劃分成多個區域；以及至少一個第二溝槽，其在對應于階梯式結構的層間絕緣層中且在第一溝槽之間，其中所述至少一個第二溝槽和第一溝槽具有不同長度。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施方式，特征將變得對本領域技術人員明顯。

圖1示出存儲器件的一實施方式；

圖2示出存儲單元陣列的一電路實施方式；

圖3示出存儲器件的一實施方式；

圖4A至圖4D示出圖3中的存儲器件的剖視圖；

圖5A和圖5B示出柵電介質層的一實施方式；

圖6示出層間絕緣層和柵堆疊的一實施方式；

圖7至圖9示出存儲器件的另外的實施方式；

圖10A至圖10G示出用于制造存儲器件的方法的一實施方式；

圖11示出存儲器件的另一實施方式；

圖12A和圖12B示出存儲器件的另一實施方式；

圖13示出存儲器件的另一實施方式；

圖14示出存儲裝置的一實施方式；

圖15示出電子設備的一實施方式；以及

圖16示出電子系統的一實施方式。

具體實施方式