[發明專利]顯示裝置

在審

• 申請號: 201710036815.9
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN106773418A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 石垣利昌;高橋文雄;栗山英樹
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍,李文嶼

1.一種顯示裝置，具有陣列基板，其特征在于，

在所述陣列基板的顯示區域內配置有TFT和突起，

連接于所述TFT的第一電極以至少覆蓋所述突起的一部分的方式延伸，

覆蓋所述TFT地形成有機鈍化膜，

在所述有機鈍化膜上形成第二電極，

所述第二電極在所述突起上與所述第一電極導通，

在俯視下，所述第一電極的寬度小于所述突起的最大寬度。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT為如下結構：在所述陣列基板上形成半導體層，覆蓋所述半導體層地形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜之上在與所述半導體層對應的部分形成柵電極，覆蓋所述柵電極地形成層間絕緣膜，在所述層間絕緣膜之上與所述半導體層對應的部分隔開距離地形成漏電極和所述第一電極，所述漏電極以及所述第一電極經由在所述層間絕緣膜以及所述柵極絕緣膜形成的通孔而與所述半導體層導通，

所述第二電極經由在設于所述突起上的第一絕緣膜形成的連接孔而與所述第一電極導通。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT為如下結構：在所述陣列基板上形成柵電極，覆蓋所述柵電極地形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜之上形成漏電極和所述第一電極，

所述突起形成于從所述TFT延伸的所述柵極絕緣膜上，

所述第二電極在所述突起上與所述第一電極連接。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT為如下結構：在所述陣列基板上形成漏電極和所述第一電極，在所述漏電極和所述第一電極上形成半導體層，覆蓋所述半導體層地形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜之上與所述半導體層對應的部分形成柵電極，

所述第二電極在所述突起上經由在所述柵極絕緣膜形成的連接孔而與所述第一電極導通，

所述突起直接形成于所述陣列基板上。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT為如下結構：在所述陣列基板上形成半導體層，在所述半導體層上隔著間隔地形成漏電極和所述第一電極，覆蓋所述半導體層地形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜上在與所述半導體層對應的部分形成柵電極，

所述第二電極在所述突起上經由在所述柵極絕緣膜形成的連接孔而與所述第一電極導通，

所述突起直接形成于所述陣列基板上。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT為如下結構：在所述陣列基板上形成柵電極，覆蓋所述柵電極地形成柵極絕緣膜，在所述柵電極的上方，在所述柵極絕緣膜上形成漏電極和所述第一電極，

在所述柵電極的上方覆蓋所述柵極絕緣膜以及所述漏電極的一部分和所述第一電極的一部分地形成半導體層。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的顯示裝置，其特征在于，

所述突起由有機材料形成。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，

所述突起為圓錐臺或棱錐臺。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，

在所述突起的上表面不存在所述有機鈍化膜。

10.一種顯示裝置，具有陣列基板，其特征在于，

在陣列基板的驅動電路內配置有TFT和突起，

連接于所述TFT的第一電極以至少覆蓋所述突起的一部分的方式延伸，

覆蓋所述TFT地形成有機鈍化膜，

在所述有機鈍化膜上形成布線，

所述布線在所述突起上與所述第一電極導通，

在俯視下，所述第一電極的寬度小于所述突起的最大寬度。

11.根據權利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT為如下結構：在所述陣列基板上形成半導體層，覆蓋所述半導體層地形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜之上在與所述半導體層對應的部分形成柵電極，覆蓋所述柵電極地形成層間絕緣膜，在所述層間絕緣膜之上與所述半導體層對應的部分隔開距離地形成漏電極和所述第一電極，所述漏電極以及所述第一電極經由在所述層間絕緣膜以及所述柵極絕緣膜形成的通孔而與所述半導體層導通，

所述突起形成于從所述TFT延伸的層間絕緣膜上。