[發明專利]存儲器系統及其操作方法

有效

• 申請號: 201710036220.3
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN107633862B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 辛范柱
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C13/00;G11C7/10;G11C16/14
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 趙愛玲;趙赫

一種存儲器系統，其包括：存儲器裝置，其包括多個命令寄存器；和存儲器控制器，其被配置為確定在多個命令寄存器中是否存在空命令寄存器，并且當存在空命令寄存器時，將新命令傳輸至存儲器裝置，其中，當從存儲器控制器傳輸新命令時，存儲器裝置將傳輸的新命令存儲在空命令寄存器中。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年7月19日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2016-0091120的韓國申請的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

各種實施例總體涉及一種半導體裝置，并且更特別地，涉及一種存儲器系統及其操作方法。

背景技術

半導體存儲器裝置是使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)的半導體實現的存儲器裝置。半導體存儲器裝置大體分為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。

易失性存儲器裝置是當電源中斷時丟失存儲的數據的存儲器裝置。易失性存儲器裝置的示例包括SRAM(靜態RAM)、DRAM(動態RAM)和SDRAM(同步DRAM)。非易失性存儲器裝置是即使在電源中斷時也保持存儲的數據的存儲器裝置。非易失性存儲器裝置包括ROM(只讀存儲器)、PROM(可編程ROM)、EPROM(電可編程ROM)、EEPROM(電可擦除可編程ROM)、閃速存儲器、PRAM(相變RAM)、MRAM(磁性RAM)、RRAM(電阻RAM)以及FRAM(鐵電RAM)。閃速存儲器大體分為NOR閃存和NAND閃存。

發明內容

各種實施例涉及一種在控制器與存儲器裝置之間具有簡化接口的存儲器系統及其操作方法。存儲器系統可顯著改善存儲器裝置的性能。

在實施例中，存儲器系統可包括：存儲器裝置，其包括多個命令寄存器；以及存儲器控制器，其被配置為確定在多個命令寄存器中是否存在空命令寄存器，并且當存在空命令寄存器時，將新命令傳輸至存儲器裝置，其中，當從存儲器控制器傳輸新命令時，存儲器裝置將被傳輸的新命令存儲在空命令寄存器中。

在實施例中，存儲器系統可包括：存儲器裝置；以及存儲器控制器，其被配置為控制存儲器裝置的操作，該存儲器裝置包括：多個命令寄存器，其被配置為存儲從存儲器控制器傳輸的命令；命令狀態寄存器，其被配置為存儲被存儲在命令寄存器中的命令的狀態信息；以及控制邏輯，其被配置為將傳輸的命令存儲在命令寄存器中的一個空命令寄存器中，其中存儲器控制器通過檢查命令狀態寄存器來確定在命令寄存器中是否存在空命令寄存器，并且當存在空命令寄存器時，將新命令傳輸至存儲器裝置。

在實施例中，包括有包括多個命令寄存器的存儲器裝置以及控制存儲器裝置的操作的存儲器控制器的存儲器系統的操作方法可包括：確定在多個命令寄存器中是否存在空命令寄存器；當存在空命令寄存器時，將新命令傳輸至存儲器裝置；并且將傳輸的命令存儲在空命令寄存器中。

在實施例中，存儲器系統可包括：存儲器裝置，其包括用于存儲提供的命令并且適于執行存儲的命令的多個命令寄存器；以及存儲器控制器，其適于通過向存儲器裝置提供命令來控制存儲器裝置，其中當存儲的命令中的一個或多個執行-完成時，存儲器控制器向存儲器裝置提供新命令，并且其中存儲器裝置將新命令存儲在與執行-完成的命令相對應的命令寄存器中的一個中。

存儲器裝置進一步包括用于存儲被存儲的命令的執行狀態的命令狀態寄存器，并且至少當被存儲的命令中的一個或多個執行-完成時，存儲器裝置更新執行狀態。

存儲器控制器根據執行狀態確定是否提供新命令。

存儲器裝置以優先級的順序執行存儲的命令。

在存儲的命令中，存儲器裝置暫停處于正被執行的進程中并且具有較低優先級的命令，并且執行具有較高優先級的另一個命令。