[發明專利]一種磁場均勻增強的近場光學天線

有效

• 申請號: 201710036152.0
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN106646868B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 路海;李麗君;黃蒙;沈克勝;劉孝宇;張現周
• 申請（專利權）人: 河南師范大學
• 主分類號: G02B27/00
• 分類號: G02B27/00;H01Q1/36;B82Y40/00
• 代理公司: 新鄉市平原專利有限責任公司 41107
• 代理人: 于兆惠

1.一種磁場均勻增強的近場光學天線，包括介質層及設置于介質層上的金屬結構，其特征在于：所述的金屬結構為回字型結構，該回字型結構包括間斷式矩形內腔和間斷式矩形外腔，其中間斷式矩形內腔與間斷式矩形外腔之間的間距為35nm，所述的間斷式矩形內腔由四個第一L形納米金屬體和四個第一矩形納米金屬體組成，其中四個第一L形納米金屬體構成間斷式矩形內腔的四個邊角，該四個第一L形納米金屬體的短邊水平相對且長邊豎直相對，四個第一矩形納米金屬體分別對應設置于第一L形納米金屬體相對的長邊及短邊之間，該第一矩形納米金屬體與兩側相鄰的第一L形納米金屬體之間的間距為25nm，所述的間斷式矩形外腔由四個第二L形納米金屬體和八個第二矩形納米金屬體組成，其中四個第二L形納米金屬體構成間斷式矩形外腔的四個邊角，該四個第二L形納米金屬體的短邊水平相對且長邊豎直相對，八個第二矩形納米金屬體分別對應設置于第二L形納米金屬體相對的長邊及短邊之間，該第二矩形納米金屬體與相鄰的第二L形納米金屬體之間的間距及相鄰的第二矩形納米金屬體之間的間距均為25nm，所述的介質層為MgF介質層，該介質層的尺寸為500nm*500nm*100nm，所述的第一L形納米金屬體、第一矩形納米金屬體、第二L形納米金屬體和第二矩形納米金屬體的材質均為銀。

2.根據權利要求1所述的磁場均勻增強的近場光學天線，其特征在于：所述的第一L形納米金屬體的長邊尺寸為80nm*30nm*30nm，第一L形納米金屬體的短邊尺寸為50nm*30nm*30nm，第一矩形納米金屬體的尺寸為100nm*30nm*30nm，水平設置的第一矩形納米金屬體分別與相應的第一L形納米金屬體的短邊相對，豎直設置的第一矩形納米金屬體分別與相應的第一L形納米金屬體的長邊相對。

3.根據權利要求1所述的磁場均勻增強的近場光學天線，其特征在于：所述的第二L形納米金屬體的長邊尺寸為80nm*30nm*30nm，第二L形納米金屬體的短邊尺寸為50nm*30nm*30nm，第二矩形納米金屬體的尺寸為305/3nm*30nm*30nm，水平設置的第二矩形納米金屬體分別兩兩水平相對，該兩兩水平相對的第二矩形納米金屬體分別與相應的第二L形納米金屬體的短邊相對，豎直設置的第二矩形納米金屬體分別兩兩豎直相對，該兩兩豎直相對的第二矩形納米金屬體分別與相應的第二L形納米金屬體的長邊相對。