[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710035984.0 | 申請日： | 2017-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN108321137A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王亞平;費春潮;江博淵;陸麗輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 高偉;張建 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 電子裝置 引線鍵合 焊盤 狹縫 金屬互連層 制作 焊球 晶圓 焊接引線 橫向分散 器件失效 區(qū)域形成 斷裂 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：提供器件晶圓，在所述器件晶圓上形成焊盤，在所述焊盤內(nèi)形成狹縫，所述狹縫位于引線焊球作用力區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述狹縫沿所述引線焊球的作用力痕跡延伸方向延伸，并且在所述焊盤的厚度方向，所述狹縫貫通所述焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述狹縫沿所述延伸方向的尺寸等于所述焊盤在所述延伸方向的尺寸，使得所述焊盤被所述狹縫分割為兩部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述狹縫沿所述延伸方向的尺寸大于等于所述引線焊球在所述延伸方向的尺寸，并且小于所述焊盤在所述延伸方向的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述狹縫在與所述延伸方向垂直的方向上的尺寸等于所述引線焊球的作用力痕跡的線徑減去2倍引線鍵合的偏移量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述引線鍵合的偏移量為0um～2um。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任意一項所述的制作方法，其特征在于，所述焊盤的厚度大于等于1.5um。
8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：器件晶圓，在所述器件晶圓上形成有焊盤，在所述焊盤內(nèi)形成有狹縫，所述狹縫位于引線焊球作用力區(qū)域中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述狹縫沿所述引線焊球的作用力痕跡延伸方向延伸，并且在所述焊盤的厚度方向，所述狹縫貫通所述焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述狹縫沿所述延伸方向的尺寸等于所述焊盤在所述延伸方向的尺寸，使得所述焊盤被所述狹縫分割為兩部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述狹縫沿所述延伸方向的尺寸大于等于所述引線焊球在所述延伸方向的尺寸，并且小于所述焊盤在所述延伸方向的尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述狹縫在與所述延伸方向垂直的方向上的尺寸等于所述引線焊球的作用力痕跡的線徑減去2倍引線鍵合的偏移量。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述引線鍵合的偏移量為0um～2um。
14.根據(jù)權(quán)利要求8-12中的任意一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述焊盤的厚度大于等于1.5um。
15.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8-14中的任意一項所述的半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連接的及電子組件。
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