[發(fā)明專利]一種聚酰亞胺層的去除方法及半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710035687.6
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN108321085B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹揚(yáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/265
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種半導(dǎo)體晶圓表面的聚酰亞胺層的去除方法，其特征在于，包括：

對所述聚酰亞胺層進(jìn)行預(yù)處理，包括：對所述聚酰亞胺層進(jìn)行離子轟擊，以使所述聚酰亞胺層表面產(chǎn)生斷鏈；使用雙氧水清洗所述聚酰亞胺層，以使所述聚酰亞胺層容易被改性處理試劑溶解；

使用所述改性處理試劑對所述聚酰亞胺層進(jìn)行改性處理，以提高所述聚酰亞胺層灰化刻蝕速率；

通過灰化刻蝕去除所述聚酰亞胺層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺層的去除方法，其特征在于，采用氬等離子體對所述聚酰亞胺層進(jìn)行離子轟擊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚酰亞胺層的去除方法，其特征在于，采用氬等離子體對所述聚酰亞胺層進(jìn)行離子轟擊時(shí)轟擊時(shí)間為1分鐘以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺層的去除方法，其特征在于，使用雙氧水清洗所述聚酰亞胺層時(shí)，所述雙氧水的溫度為85℃以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺層的去除方法，其特征在于，使用雙氧水清洗所述聚酰亞胺層時(shí)，清洗時(shí)間為3分鐘～5分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中的任意一項(xiàng)所述的聚酰亞胺層的去除方法，其特征在于，所述改性處理試劑為EKC試劑。

7.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓表面形成聚酰亞胺層；

檢測所述聚酰亞胺層是否符合要求，

如果不符合則采用如權(quán)利要求1-6中的任意一項(xiàng)所述聚酰亞胺層的去除方法去除所述聚酰亞胺層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述聚酰亞胺層用作所述半導(dǎo)體晶圓表面鋁焊盤的阻擋層。