[發明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201710035429.8
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN108336086B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L29/788;H01L21/28;H01L21/8239;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成浮柵；

在所述浮柵上形成控制柵，

其中，所述浮柵包括位于所述半導體襯底之上的主體部和位于所述主體部兩端且朝向所述控制柵突出的突出部；其中，在所述半導體襯底上形成浮柵的步驟包括：

在所述半導體襯底上形成柵極介質層；

在所述半導體襯底上依次形成浮柵材料層和硬掩膜層；

對所述硬掩膜層、所述浮柵材料層、所述柵極介質層和所述半導體襯底進行刻蝕，以在所述半導體襯底中形成溝槽和被所述溝槽分隔的有源區，在所述有源區上形成位于所述柵極介質層之上的所述浮柵的主體部；

填充所述溝槽形成隔離結構，所述隔離結構的高度高于所述半導體襯底的表面，而低于所述浮柵的主體部；

以所述硬掩膜層為掩膜通過外延工藝在所述浮柵的主體部的兩端形成所述突出部；

去除所述硬掩膜層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述突出部位于所述浮柵長度方向的兩端。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氮化物。

4.一種半導體器件，其特征在于，采用如權利要求1所述的方法制作，包括：

半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有浮柵和隔離結構；

在所述浮柵上形成有控制柵，

其中，所述浮柵包括位于所述半導體襯底之上的主體部和位于所述主體部兩端且朝向所述控制柵突出的突出部，所述突出部位于所述浮柵長度方向的兩端，所述隔離結構的高度高于所述半導體襯底的表面而低于所述浮柵的主體部，所述主體部的兩端至少部分形成在所述隔離結構之上。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

位于所述半導體襯底中的隔離結構和被所述隔離結構分割的有源區；

在所述有源區上形成有柵極介質層，所述浮柵形成在所述有源區的柵極介質層之上。

6.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求4-5中的任意一項所述的半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件。