[發(fā)明專(zhuān)利]蝕刻裝置和蝕刻方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710035322.3 | 申請(qǐng)日： | 2017-01-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107017148B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·黑爾貝雷爾;C·齊爾克;H·阿特曼;O·布賴(lài)特沙伊德;P·B·施塔費(fèi)爾特 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01J37/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01J37/32;B81C1/00 |
| 代理公司： | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鳴慧 |
| 地址： | 德國(guó)斯*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 蝕刻 裝置 方法 | ||
1.蝕刻裝置，具有：
蝕刻腔(1；1a)和位于該蝕刻腔中的用于夾緊要蝕刻的襯底(S)的卡盤(pán)(C)；
包圍所述蝕刻腔(1；1a)的區(qū)域(1a)的等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)；
用于導(dǎo)入蝕刻氣體的氣體噴嘴分布設(shè)備(10)，該氣體噴嘴分布設(shè)備這樣布置在所述卡盤(pán)(C)上方，使得蝕刻氣體氣流(GS)垂直地對(duì)準(zhǔn)所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)；
其中，所述氣體噴嘴分布設(shè)備(10)能夠這樣關(guān)于所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)移動(dòng)，使得該氣體噴嘴分布設(shè)備在等離子蝕刻模式中以相對(duì)于所述表面(OF)的這樣的第一距離布置：使得所述蝕刻氣體氣流(GS)經(jīng)過(guò)由所述等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)包圍的所述區(qū)域(1a)走向；并且使得該氣體噴嘴分布設(shè)備在非等離子蝕刻模式中以相對(duì)于所述表面(OF)的這樣的較小的第二距離布置：使得所述蝕刻氣體氣流(GS)不經(jīng)過(guò)由所述等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)包圍的所述區(qū)域(1a)走向。
2.蝕刻裝置，具有
蝕刻腔(1；1a)和位于該蝕刻腔中的用于夾緊要蝕刻的襯底(S)的卡盤(pán)(C)；
包圍所述蝕刻腔(1；1a)的區(qū)域(1a)的等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)；
用于導(dǎo)入蝕刻氣體的氣體噴嘴分布設(shè)備(10)，該氣體噴嘴分布設(shè)備這樣布置在所述卡盤(pán)(C)上方，使得蝕刻氣體氣流(GS)垂直地對(duì)準(zhǔn)所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)；
其中，所述卡盤(pán)(C)能夠這樣關(guān)于所述氣體噴嘴分布設(shè)備(10)移動(dòng)，使得該卡盤(pán)在等離子蝕刻模式中以相對(duì)于所述表面(OF)的這樣的第一距離布置：使得所述蝕刻氣體氣流(GS)經(jīng)過(guò)由所述等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)包圍的所述區(qū)域(1a)走向；并且使得該卡盤(pán)在非等離子蝕刻模式中以相對(duì)于所述表面(OF)的這樣的較小的第二距離布置：使得所述蝕刻氣體氣流(GS)經(jīng)過(guò)由所述等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)包圍的所述區(qū)域(1a)走向。
3.蝕刻裝置，具有
蝕刻腔(1；1a)和位于該蝕刻腔中的用于夾緊要蝕刻的襯底(S)的卡盤(pán)(C)；
包圍所述蝕刻腔(1；1a)的區(qū)域(1a)的等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)；
用于導(dǎo)入蝕刻氣體的第一氣體噴嘴分布設(shè)備(10a)，該第一氣體噴嘴分布設(shè)備這樣布置在所述卡盤(pán)(C)上方，使得蝕刻氣體氣流(GS)垂直地對(duì)準(zhǔn)所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)；
其中，所述第一氣體噴嘴分布設(shè)備(10a)以相對(duì)于所述表面(OF)的這樣的第一距離布置：使得蝕刻氣體氣流(GS)經(jīng)過(guò)由所述等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)包圍的所述區(qū)域(1a)走向；
用于導(dǎo)入蝕刻氣體的第二氣體噴嘴分布設(shè)備(10b)，該第二氣體噴嘴分布設(shè)備能夠這樣布置在所述卡盤(pán)(C)的上方，使得排出的蝕刻氣體氣流(GS)垂直地對(duì)準(zhǔn)所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)；
其中，所述第二氣體噴嘴分布設(shè)備(10b)能夠這樣移動(dòng)，使得該第二氣體噴嘴分布設(shè)備在等離子蝕刻模式中不布置在所述表面(OF)上方并且在非離子蝕刻模式中以相對(duì)于所述表面(OF)的較小的第二距離布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的蝕刻裝置，其中，所述蝕刻腔(1；1a)的內(nèi)壁(I)是能夠調(diào)節(jié)溫度的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的蝕刻裝置，其中，設(shè)置有能夠控制的氣體供給設(shè)備(G；G；G’)，借助于該氣體供給設(shè)備能夠給所述蝕刻腔(1；1a)輸入不同的蝕刻氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻裝置，其中，所述蝕刻氣體能夠選擇式地脈沖地或連續(xù)地輸入。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的蝕刻裝置，其中，所述卡盤(pán)(C)能夠借助于偏壓設(shè)備(B)被帶到預(yù)給定的電位。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的蝕刻裝置，其中，設(shè)置有控制設(shè)備(ST；ST’；ST”)，借助于該控制設(shè)備能夠自動(dòng)地控制蝕刻氣體組份和蝕刻模式。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的蝕刻裝置，其中，所述等離子產(chǎn)生設(shè)備(E)具有包圍所述區(qū)域(1a)的線圈設(shè)備。
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