[發明專利]蝕刻裝置和蝕刻方法

有效

• 申請號: 201710035322.3
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN107017148B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: A·黑爾貝雷爾;C·齊爾克;H·阿特曼;O·布賴特沙伊德;P·B·施塔費爾特
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 侯鳴慧

1.蝕刻裝置，具有：

蝕刻腔(1；1a)和位于該蝕刻腔中的用于夾緊要蝕刻的襯底(S)的卡盤(C)；

包圍所述蝕刻腔(1；1a)的區域(1a)的等離子產生設備(E)；

用于導入蝕刻氣體的氣體噴嘴分布設備(10)，該氣體噴嘴分布設備這樣布置在所述卡盤(C)上方，使得蝕刻氣體氣流(GS)垂直地對準所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)；

其中，所述氣體噴嘴分布設備(10)能夠這樣關于所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)移動，使得該氣體噴嘴分布設備在等離子蝕刻模式中以相對于所述表面(OF)的這樣的第一距離布置：使得所述蝕刻氣體氣流(GS)經過由所述等離子產生設備(E)包圍的所述區域(1a)走向；并且使得該氣體噴嘴分布設備在非等離子蝕刻模式中以相對于所述表面(OF)的這樣的較小的第二距離布置：使得所述蝕刻氣體氣流(GS)不經過由所述等離子產生設備(E)包圍的所述區域(1a)走向。

2.蝕刻裝置，具有

蝕刻腔(1；1a)和位于該蝕刻腔中的用于夾緊要蝕刻的襯底(S)的卡盤(C)；

包圍所述蝕刻腔(1；1a)的區域(1a)的等離子產生設備(E)；

用于導入蝕刻氣體的氣體噴嘴分布設備(10)，該氣體噴嘴分布設備這樣布置在所述卡盤(C)上方，使得蝕刻氣體氣流(GS)垂直地對準所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)；

其中，所述卡盤(C)能夠這樣關于所述氣體噴嘴分布設備(10)移動，使得該卡盤在等離子蝕刻模式中以相對于所述表面(OF)的這樣的第一距離布置：使得所述蝕刻氣體氣流(GS)經過由所述等離子產生設備(E)包圍的所述區域(1a)走向；并且使得該卡盤在非等離子蝕刻模式中以相對于所述表面(OF)的這樣的較小的第二距離布置：使得所述蝕刻氣體氣流(GS)經過由所述等離子產生設備(E)包圍的所述區域(1a)走向。

3.蝕刻裝置，具有

蝕刻腔(1；1a)和位于該蝕刻腔中的用于夾緊要蝕刻的襯底(S)的卡盤(C)；

包圍所述蝕刻腔(1；1a)的區域(1a)的等離子產生設備(E)；

用于導入蝕刻氣體的第一氣體噴嘴分布設備(10a)，該第一氣體噴嘴分布設備這樣布置在所述卡盤(C)上方，使得蝕刻氣體氣流(GS)垂直地對準所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)；

其中，所述第一氣體噴嘴分布設備(10a)以相對于所述表面(OF)的這樣的第一距離布置：使得蝕刻氣體氣流(GS)經過由所述等離子產生設備(E)包圍的所述區域(1a)走向；

用于導入蝕刻氣體的第二氣體噴嘴分布設備(10b)，該第二氣體噴嘴分布設備能夠這樣布置在所述卡盤(C)的上方，使得排出的蝕刻氣體氣流(GS)垂直地對準所述要蝕刻的襯底(S)的表面(OF)；

其中，所述第二氣體噴嘴分布設備(10b)能夠這樣移動，使得該第二氣體噴嘴分布設備在等離子蝕刻模式中不布置在所述表面(OF)上方并且在非離子蝕刻模式中以相對于所述表面(OF)的較小的第二距離布置。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的蝕刻裝置，其中，所述蝕刻腔(1；1a)的內壁(I)是能夠調節溫度的。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的蝕刻裝置，其中，設置有能夠控制的氣體供給設備(G；G；G’)，借助于該氣體供給設備能夠給所述蝕刻腔(1；1a)輸入不同的蝕刻氣體。

6.根據權利要求5所述的蝕刻裝置，其中，所述蝕刻氣體能夠選擇式地脈沖地或連續地輸入。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的蝕刻裝置，其中，所述卡盤(C)能夠借助于偏壓設備(B)被帶到預給定的電位。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的蝕刻裝置，其中，設置有控制設備(ST；ST’；ST”)，借助于該控制設備能夠自動地控制蝕刻氣體組份和蝕刻模式。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的蝕刻裝置，其中，所述等離子產生設備(E)具有包圍所述區域(1a)的線圈設備。