[發明專利]像素結構與具有此像素結構的顯示裝置

在審

• 申請號: 201710035099.2
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN106773416A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 李明賢
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 梁揮,尚群

技術領域

本發明涉及一種像素結構與具有此像素結構的顯示裝置。

背景技術

于家用電器設備的各式電子產品之中，應用薄膜晶體管(thin film transistor；TFT)的液晶顯示器已經被廣泛地使用。薄膜晶體管式的液晶顯示器主要是通過薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光陣列基板和液晶層構成，其中薄膜晶體管陣列基板上設置有多個以陣列排列的薄膜晶體管，以及，與薄膜晶體管對應配置的像素電極(pixel electrode)。

然而，于液晶顯示器的像素結構之中，液晶層中的液晶分子排列可能會受到結構地形的影響，而使得像素結構無法正常呈現信號。再者，隨著液晶顯示器可提供的解析度日漸提升，此由結構地形對液晶分子所產生的影響也相對更加顯著。對此，如何能有效解決上述問題，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域亟需改進的目標。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的上述缺陷，提供一種像素結構與具有此畫素像素結構的顯示裝置。

為了實現上述目的，本發明提供了一種像素結構，包含凸塊、第一絕緣層、半導體層、第二絕緣層、金屬層及平坦層，其中第一絕緣層可通過凸塊的地形樣貌而突起并形成突起部。借由突起部的存在，可緩和第二絕緣層及位于金屬層之間的高度差，并連帶緩和平坦層的上表面的地形起伏，以降低后續形成于平坦層上方的液晶分子所受到的地形影響，進而防止液晶分子產生液晶錯向(disclination)的現象。

本發明的一實施方式提供一種像素結構，設置于基板，并包含凸塊、第一絕緣層、半導體層、第二絕緣層、金屬層及像素電極。凸塊設置于基板。第一絕緣層設置于基板并覆蓋凸塊，其中第一絕緣層覆蓋凸塊處具有突起部。半導體層設置于第一絕緣層上，并且至少部分半導體層設置于突起部上方。第二絕緣層設置于第一絕緣層上并覆蓋半導體層，其中第二絕緣層具有通孔，以使部分半導體層未被第二絕緣層覆蓋，其中于一垂直基板的方向上通孔對應于突起部。金屬層通過第二絕緣層的通孔電性連接至半導體層，其中凸塊于基板的垂直投影落于金屬層于基板的垂直投影內。像素電極電性連接半導體層。

于部分實施方式中，像素結構還包含平坦層。平坦層覆蓋金屬層及第二絕緣層，且凸塊位于基板與平坦層之間，其中平坦層具有凹陷部，凹陷部位于平坦層相對于金屬層的上表面，其中凹陷部于基板的垂直投影至少與通孔部分重疊，且凹陷部的最大深度小于100納米(nm)。

于部分實施方式中，像素結構還包含平坦層與顯示介質層。平坦層覆蓋金屬層及第二絕緣層，且凸塊位于基板與該平坦層之間。顯示介質層設置于平坦層上，并具有多個顯示介質。

于部分實施方式中，凸塊于基板的垂直投影自通孔內沿該金屬層的延伸方向延伸至通孔外。

于部分實施方式中，凸塊的厚度為T1，半導體層的厚度為T2，且1.5≤T1/T2≤5。

于部分實施方式中，凸塊的厚度為T1，且100納米(nm)≤T1≤250納米(nm)。

于部分實施方式中，第一絕緣層及第二絕緣層分別由單層或多個介電層所形成。

于部分實施方式中，金屬層至少部分作為數據線，且至少部分半導體層具有與數據線相同的延伸方向。

于部分實施方式中，至少部分半導體層于垂直基板的方向上與金屬層重疊設置。

于部分實施方式中，像素結構還包含遮光層。遮光層設置以使金屬層位于遮光層與凸塊之間，其中凸塊于基板的垂直投影落于遮光層于基板的垂直投影內。

本發明的一實施方式提供一種顯示裝置，包含顯示面板及像素結構。顯示面板具有顯示區及周邊區，其中周邊區設置以圍繞顯示區。像素結構設置于顯示面板的顯示區內。

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。

附圖說明

圖1A為本發明的像素結構于第一實施方式的上視示意圖；

圖1B為圖1A的像素結構的區域B的放大圖；

圖1C為對應圖1B的線段1C-1C的剖面圖；

圖1D為像素結構于部分實施方式的剖面圖，其中圖1D的剖面位置與圖1C相同；

圖1E為對應圖1B的線段1E-1E的剖面圖；

圖1F為圖1C的結構與其上的遮光層的剖面圖；

圖2為本發明的像素結構于第二實施方式的上視示意圖；

圖3為本發明的顯示裝置于部分實施方式的上視示意圖。

其中，附圖標記

100A、100B、208 像素結構

101 基板