[發(fā)明專利]一種碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710034587.1
• 申請(qǐng)日: 2017-01-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106711242A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王德亮;肖迪;王東明;沈凱;李強(qiáng);李珣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/073;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池，其特征在于，從下到上依次包括：

襯底；

復(fù)合在所述襯底上的透明導(dǎo)電薄膜；

復(fù)合在所述透明導(dǎo)電薄膜上的n型硫化鎘層；

復(fù)合在所述n型硫化鎘層上的p型碲化鎘層；

復(fù)合在所述p型碲化鎘層上的氧化鎳薄膜；

復(fù)合在所述氧化鎳薄膜上的金屬背電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池，其特征在于，所述襯底為玻璃襯底或聚酰亞胺襯底；所述透明導(dǎo)電薄膜為摻氟氧化錫薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池，其特征在于，所述金屬背電極的材質(zhì)選自Au、Ni、Mo和W中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池，其特征在于，所述金屬背電極的厚度為100～300nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池，其特征在于，所述氧化鎳薄膜的厚度為5～35nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池，其特征在于，所述p型碲化鎘層的厚度為4～5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池，其特征在于，在p型碲化鎘層和氧化鎳薄膜之間，還包括銅薄膜。

8.一種碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池的制備方法，包括以下步驟：

在復(fù)合有透明導(dǎo)電薄膜的襯底上依次復(fù)合n型硫化鎘層和p型碲化鎘層；

對(duì)復(fù)合在所述n型硫化鎘層上的p型碲化鎘層表面進(jìn)行化學(xué)刻蝕；

在化學(xué)刻蝕后的p型碲化鎘層上復(fù)合氧化鎳薄膜；

在所述氧化鎳薄膜上復(fù)合金屬背電極，然后經(jīng)退火，使金屬背電極與p型碲化鎘層形成歐姆接觸，得到碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)刻蝕具體為：將p型碲化鎘層經(jīng)過(guò)CdCl₂熱處理后，采用磷硝酸刻蝕液刻蝕。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，利用電子束蒸發(fā)法或熱蒸發(fā)法，在所述氧化鎳薄膜上復(fù)合金屬背電極，使金屬背電極的厚度為100～300nm。