[發(fā)明專利]振蕩模塊、電子設(shè)備以及移動體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710033635.5
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN107026614B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 野村昌生;笹山茂季;中田章
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03B5/36
• 分類號: H03B5/36;H03H9/54
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;鄧毅

1.一種振蕩模塊，其特征在于，

該振蕩模塊具有SAW濾波器、以及在集成電路內(nèi)構(gòu)成的高通濾波器，

所述高通濾波器具有線圈部、電容部、以及將所述線圈部與所述電容部連接的第1布線，

所述電容部包含電容陣列，

所述線圈部設(shè)置于第2布線層，所述第2布線層比設(shè)置有所述第1布線的第1布線層厚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩模塊，其特征在于，

所述第2布線層被層疊于所述第1布線層的上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩模塊，其特征在于，

所述電容陣列包含第1電容，

所述第1電容的至少一個電極設(shè)置于所述第1布線層。

4.一種振蕩模塊，其特征在于，

該振蕩模塊具有SAW濾波器、以及在集成電路內(nèi)構(gòu)成的高通濾波器，

所述高通濾波器具有線圈部、電容部、以及將所述線圈部與所述電容部連接的第1布線，

所述電容部包含電容陣列，

所述電容陣列包含第1電容，

所述第1電容的至少一個電極設(shè)置于設(shè)置有所述第1布線的第1布線層，

所述第1電容的另一個電極以跨越第2布線層和第3布線層的方式設(shè)置，

設(shè)置有所述一個電極的所述第1布線層構(gòu)成為被所述第2布線層和所述第3布線層夾著。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的振蕩模塊，其特征在于，

該振蕩模塊還具有與所述線圈部連接的第1端子、以及與所述高通濾波器的外部連接的第2端子，

所述第1布線將所述一個電極與所述第1端子電連接，

設(shè)置于所述第2布線層的第2布線以及設(shè)置于所述第3布線層的第3布線將所述另一個電極與所述第2端子電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求3～5中的任意一項(xiàng)所述的振蕩模塊，其特征在于，

所述電容陣列還包含第2電容，

所述第2電容的一個電極通過所述第1布線而與所述第1電容的所述一個電極連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的振蕩模塊，其特征在于，

所述電容陣列還包含第3電容，

所述第3電容的一個電極通過所述第1布線而與所述第1電容的所述一個電極以及所述第2電容的所述一個電極連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的振蕩模塊，其特征在于，

所述第1電容的電容值與所述第2電容的電容值大致相等。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的振蕩模塊，其特征在于，

所述第2電容的電容值比所述第1電容的電容值大。

10.一種振蕩模塊，其特征在于，

該振蕩模塊具有SAW濾波器、以及在集成電路內(nèi)構(gòu)成的高通濾波器，

所述高通濾波器具有線圈部、電容部、以及將所述線圈部與所述電容部連接的第1布線，

所述電容部包含電容陣列，

所述電容陣列包含第1電容以及第2電容，

該振蕩模塊還具有與所述線圈部連接的第1端子，

所述第1布線將所述第1電容的一個電極與所述第1端子電連接，

所述第2電容的一個電極通過所述第1布線而與所述第1電容的所述一個電極連接，

所述第1布線的從所述第1端子至所述第1電容為止的布線長度比所述第1布線的從所述第1端子至所述第2電容為止的布線長度短。

11.根據(jù)權(quán)利要求8～10中的任意一項(xiàng)所述的振蕩模塊，其特征在于，

所述電容陣列還包含第3電容，

所述第3電容的一個電極通過所述第1布線而與所述第1電容的所述一個電極以及所述第2電容的所述一個電極連接。