[發明專利]具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管

有效

• 申請號: 201710033229.9
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN106783993B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 杜江鋒;蔣知廣;白智元;于奇
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L29/06
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管，包括襯底(307)，設于所述襯底(307)上的氮化鎵緩沖層(306)，設于所述氮化鎵緩沖層(306)上的氮化鎵溝道層(305)以及設于所述氮化鎵溝道層(305)上的氮化鎵鋁勢壘層(304)，所述氮化鎵鋁勢壘層(304)上形成有源極(301)、漏極(302)和柵極(303)，其特征在于，所述襯底(307)內設置有復合介質層，所述復合介質層的頂面與氮化鎵緩沖層(306)的底面相接觸；所述復合介質層由相互接觸設置的高介電常數介質區域(309)和低介電常數介質區域(310)組成，所述高介電常數介質區域(309)和低介電常數介質區域(310)形成接觸面的方向包括與氮化鎵溝道層(305)相垂直的方向；所述復合介質層位于與氮化鎵鋁勢壘層(304)上柵極(303)和漏極(302)之間的區域相對應的襯底(307)中。

2.根據權利要求1所述的一種具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管，其特征在于，定義高介電常數介質區域(309)和低介電常數介質區域(310)的所用材料的介電常數分別為K_h和K_l，則K_h和K_l的關系滿足：2≤2K_l≤K_h≤200。

3.根據權利要求1所 述的一種具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管，其特征在于，高介電常數介質區域(309)或者低介電常數介質區域(310)的數量為一個、兩個或者多個。

4.根據權利要求3所述的一種具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管，其特征在于，多個高介電常數介質區域(309)所用材料的介電常數相同或者不同。

5.根據權利要求3所述的一種具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管，其特征在于，多個低介電常數介質區域(310)所用材料的介電常數相同或者不同。

6.根據權利要求4所述的一種具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管，其特征在于，多個不同材料的高介電常數介質區域(309)之間相互間隔設置或者緊密接觸設置。

7.根據權利要求5所述的一種具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管，其特征在于，多個不同材料的低介電常數介質區域(310)之間相互間隔設置或者緊密接觸設置。

8.根據權利要求1至7任一項所述的一種具有襯底內復合介質層結構的氮化鎵異質結場效應管，其特征在于，還包括設置于源極(301)與柵極(303)之間以及柵極(303)與漏極(302)之間的鈍化層(308)。