[發明專利]電能儲存裝置及系統

在審

• 申請號: 201710033214.2
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN106787228A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 肖開宇;王渝;張雨田;王智慧
• 申請（專利權）人: 國華自然科學研究院（深圳）有限公司
• 主分類號: H02J15/00
• 分類號: H02J15/00;H02J7/00;H01G4/06
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司44217
• 代理人: 高占元

1.一種電能儲存裝置，其特征在于，包括依次層疊的第一導電磁性層、第二導電磁性層、第一導電順磁顆粒層、介電層、第二導電順磁顆粒層、第三導電磁性層及第四導電磁性層；

所述第一導電磁性層及所述第四導電磁性層用于約束電子逃逸；所述第二導電磁性層及所述第三導電磁性層的磁極化方向垂直于所述第一導電磁性層及所述第四導電磁性層的磁極化方向，所述第二導電磁性層及所述第三導電磁性層用于增加該電能儲存裝置的電容量；所述第一導電順磁顆粒層及所述第二導電順磁顆粒層用于增加極板面積以增加該電能儲存裝置的電容量；所述介電層用于存儲電能；

所述電能儲存裝置還包括：第一導電層、第二導電層、第三導電層及第四導電層；

所述第一導電層及所述第三導電層分別設置于所述第一導電磁性層、第二導電磁性層及第一導電順磁顆粒層的兩側；所述第二導電層及所述第四導電層分別設置于所述第二導電順磁顆粒層、第三導電磁性層及第四導電磁性層的兩側。

2.根據權利要求1所述的電能儲存裝置，其特征在于，還包括絕緣層，所述絕緣層設置于所述第一導電磁性層的上表面。

3.根據權利要求1所述的電能儲存裝置，其特征在于，所述第一導電磁性層、所述第二導電磁性層、所述第三導電磁性層及所述第四導電磁性層均為單層磁性薄膜或多層磁性薄膜，所述介電層為單層薄層或多層薄層。

4.根據權利要求1所述的電能儲存裝置，其特征在于，所述第一導電層、所述第二導電層、所述第三導電層及所述第四導電層均為薄層。

5.根據權利要求1所述的電能儲存裝置，其特征在于，所述第一導電順磁顆粒層及所述第二導電順磁顆粒層均具有順磁金屬顆粒堆積結構的薄層。

6.根據權利要求1所述的電能儲存裝置，其特征在于，當該電能儲存裝置被充電時，所述第一導電層及所述第三導電層作為第一電極，所述第二導電層及所述第四導電層作為第二電極，通過所述第一電極及第二電極與一電源耦接。

7.根據權利要求1所述的電能儲存裝置，其特征在于，當該電能儲存裝置被放電時，所述第一導電層及所述第三導電層作為第一電極，所述第二導電層及所述第四導電層作為第二電極，通過所述第一電極及第二電極與一負載裝置耦接。

8.一種電能儲存系統，其特征在于，包括m個如權利要求1-5任一項所述的電能儲存裝置，m為大于或等于2的正整數；

當m等于2時，第1個電能儲存裝置的第三導電層與第2個電能儲存裝置的第一導電層連接，第1個電能儲存裝置的第四導電層與第2個電能儲存裝置的第二導電層連接；

當m大于2時，第1個電能儲存裝置的第三導電層與第2個電能儲存裝置的第一導電層連接，第1個電能儲存裝置的第四導電層與第2個電能儲存裝置的第二導電層連接；第i個電能儲存裝置的第三導電層與第i+1個電能儲存裝置的第一導電層連接，第i個電能儲存裝置的第四導電層與第i+1個電能儲存裝置的第二導電層連接，第i個電能儲存裝置的第一導電層與第i-1個電能儲存裝置的第三導電層連接，第i個電能儲存裝置的第二導電層與第i-1個電能儲存裝置的第四導電層連接；第m個電能儲存裝置的第一導電層與第m-1個電能儲存裝置的第三導電層連接，第m個電能儲存裝置的第二導電層與第m-1個電能儲存裝置的第四導電層連接；其中，i為大于1且小于m的正整數。

9.一種電能儲存裝置，其特征在于，包括依次層疊的第一導電磁性層、第二導電磁性層、第一導電順磁顆粒層、介電層、第二導電順磁顆粒層及第三導電磁性層；

所述第一導電磁性層用于約束電子逃逸；所述第二導電磁性層及所述第三導電磁性層的磁極化方向垂直于所述第一導電磁性層的磁極化方向，所述第二導電磁性層及所述第三導電磁性層用于增加該電能儲存裝置的電容量；所述第一導電順磁顆粒層及所述第二導電順磁顆粒層用于增加極板面積以增加該電能儲存裝置的電容量；所述介電層用于存儲電能；

所述電能儲存裝置還包括：第一導電層、第二導電層、第三導電層及第四導電層；

所述第一導電層及所述第三導電層分別設置于所述第一導電磁性層、第二導電磁性層及第一導電順磁顆粒層的兩側；所述第二導電層及所述第四導電層分別設置于所述第二導電順磁顆粒層及第三導電磁性層的兩側。

10.一種電能儲存系統，其特征在于，包括n個如權利要求9所述的電能儲存裝置及第四導電磁性層，所述第四導電磁性層的磁極化方向與所述第一導電磁性層的磁極化方向平行，n為大于或等于2的正整數；

當n等于2時，第1個電能儲存裝置的第二導電層與第2個電能儲存裝置的第一導電層連接，第1個電能儲存裝置的第四導電層與第2個電能儲存裝置的第三導電層連接，第2個電能儲存裝置的第三導電磁性層與所述第四導電磁性層連接；

當n大于2時，第1個電能儲存裝置的第二導電層與第2個電能儲存裝置的第一導電層連接，第1個電能儲存裝置的第四導電層與第2個電能儲存裝置的第三導電層連接；第j個電能儲存裝置的第二導電層與第j+1個電能儲存裝置的第一導電層連接，第j個電能儲存裝置的第四導電層與第j+1個電能儲存裝置的第三導電層連接，第j個電能儲存裝置的第一導電層與第j-1個電能儲存裝置的第二導電層連接，第j個電能儲存裝置的第三導電層與第j-1個電能儲存裝置的第四導電層連接；第n個電能儲存裝置的第一導電層與第n-1個電能儲存裝置的第二導電層連接，第n個電能儲存裝置的第三導電層與第n-1個電能儲存裝置的第四導電層連接，第n個電能儲存裝置的第三導電磁性層與所述第四導電磁性層連接；其中，j為大于1且小于n的正整數。