[發明專利]催化氧化貧H2S流的方法和系統在審
| 申請號： | 201710033153.X | 申請日： | 2017-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN108310964A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 吳瓊笑;卞祥;R·特靈-瑞斯托普;N·B·賈科布森;S·薩迪 | 申請（專利權）人： | 托普索公司 |
| 主分類號： | B01D53/86 | 分類號： | B01D53/86;B01D53/90;B01D53/48;B01D53/52 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 吳小瑛 |
| 地址： | 丹麥*** | 國省代碼： | 丹麥;DK |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 催化氧化 氣體混合物 氧化反應器 進料氣 二氧化硫 硫化氫 催化劑 氧化催化劑 二硫化碳 凈化氣體 合成氣 羰基硫 加熱 回收 | ||
【權利要求書】：
1.用于將硫化氫、羰基硫或二硫化碳氧化成二氧化硫的方法，所述方法包括以下步驟：
-提供貧H2S的進料氣；
-向所述進料氣添加空氣或O2；
-將所述進料氣加熱至所需的入口溫度；
-將氣體混合物進料至氧化反應器，所述氧化反應器含有氧化催化劑；以及
-回收凈化氣體，
其中在將氣體混合物進料至氧化反應器之前向所述氣體混合物添加合成氣。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述氧化催化劑是硫整體式催化劑。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中經由熱交換器將所述氣體混合物進料至所述氧化反應器。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中H2S的氧化在到達催化劑的入口溫度為200℃至450℃下進行。
5.根據權利要求4所述的方法，其中到達催化劑的入口溫度為200℃至400℃，優選250℃至300℃。
6.實施根據權利要求1至5中任一項所述的方法的系統，所述系統包括氣體鼓風機、熱交換器和氧化反應器，所述氧化反應器含有催化劑，優選硫整體式催化劑。
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