[發明專利]用于沉積鈍化膜的設備和用于沉積鈍化膜的方法

在審

• 申請號: 201710032931.3
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN107043924A
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 李宰承;尹哲;韓宰賢
• 申請（專利權）人: AP系統股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/40;C23C16/34
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 楊文娟,臧建明

1.一種用于沉積鈍化膜的設備，其特征在于，包括：

襯底支撐件，襯底通過所述襯底支撐件支撐；

線性沉積模塊部件，其包括與第一軸方向平行安置的線性沉積源，且所述線性沉積模塊部件橫越所述襯底并且在所述襯底上沉積所述鈍化膜；

氣體供應部件，其向所述線性沉積模塊部件選擇性并且交替地供應第一沉積氣體和第二沉積氣體；

驅動部件，其在與所述第一軸方向交叉的第二軸方向移動所述襯底支撐件或所述線性沉積模塊部件，其中

通過層壓由所述第一沉積氣體沉積的第一材料層和由所述第二沉積氣體沉積的第二材料層形成所述鈍化膜。

2.根據權利要求1所述的用于沉積鈍化膜的設備，其中所述第一材料層和所述第二材料層中的任一個是緩沖膜且另一個是阻擋膜，其中所述緩沖膜包括CH基團。

3.根據權利要求2所述的用于沉積鈍化膜的設備，其中形成所述緩沖膜的所述第一沉積氣體或所述第二沉積氣體包括有機-硅化合物并且由等離子體活化。

4.根據權利要求2所述的用于沉積鈍化膜的設備，其中形成所述緩沖膜的所述第一沉積氣體或所述第二沉積氣體包括氫化硅氣體和烴氣并且由等離子體活化。

5.根據權利要求1所述的用于沉積鈍化膜的設備，其中所述第一材料層為氧化物層，且所述第二材料層為氮化物層。

6.根據權利要求1所述的用于沉積鈍化膜的設備，其中

所述第一沉積氣體包括第一源材料和第一反應材料，以及

所述第二沉積氣體包括第二源材料和第二反應材料，以及

所述線性沉積源包括：

源材料噴嘴，其注入所述第一源材料或所述第二源材料；以及

反應材料噴嘴，其注入所述第一反應材料或所述第二反應材料。

7.根據權利要求6所述的用于沉積鈍化膜的設備，其中所述源材料噴嘴和所述反應材料噴嘴交替安置于所述線性沉積模塊部件中。

8.根據權利要求7所述的用于沉積鈍化膜的設備，其中所述反應材料噴嘴定位于所述線性沉積模塊部件的兩端。

9.根據權利要求1所述的用于沉積鈍化膜的設備，其中所述線性沉積源是原子層沉積源，并且所述線性沉積模塊部件包括平行于所述第一軸方向安置的多個所述線性沉積源。

10.一種用于沉積鈍化膜的方法，其特征在于，包括：

向線性沉積模塊部件供應用于沉積第一材料層的第一沉積氣體，所述線性沉積模塊部件包括與第一軸方向平行安置的線性沉積源，且所述線性沉積模塊部件橫越襯底；

在與所述第一軸方向交叉的第二軸方向移動所述襯底或所述線性沉積模塊部件時向所述襯底上注入所述第一沉積氣體；

向所述線性沉積模塊部件供應用于沉積第二材料層的第二沉積氣體；以及

在所述第二軸方向移動所述襯底或所述線性沉積模塊部件時向所述襯底上注入所述第二沉積氣體。

11.根據權利要求10所述的用于沉積鈍化膜的方法，其特征在于，還包括向所述線性沉積模塊部件供應吹掃氣體。

12.根據權利要求10所述的用于沉積鈍化膜的方法，其中所述第一材料層和所述第二材料層中的任一個包括CH基團。

13.根據權利要求12所述的用于沉積鈍化膜的方法，其中所述第一沉積氣體或所述第二沉積氣體包括有機-硅化合物并且由等離子體活化。

14.根據權利要求12所述的用于沉積鈍化膜的方法，其中所述第一沉積氣體或所述第二沉積氣體包括氫化硅氣體和烴氣并且由等離子體活化。

15.根據權利要求10所述的用于沉積鈍化膜的方法，其中所述第一材料層為氧化物層，并且所述第二材料層為氮化物層。

16.根據權利要求10所述的用于沉積鈍化膜的方法，其中

所述第一沉積氣體包括第一源材料和第一反應材料，

所述第一源材料和所述第一反應材料中的每一個在注入所述第一沉積氣體時獨立地注入，

所述第二沉積氣體包括第二源材料和第二反應材料，以及

所述第二源材料和所述第二反應材料中的每一個在注入所述第二沉積氣體時獨立地注入。