[發明專利]縱包四通道小型封裝接口線

在審

• 申請號: 201710032891.2
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN106782859A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 于國慶;李軍;王鄭;付善波;賈利賓
• 申請（專利權）人: 東莞金信諾電子有限公司
• 主分類號: H01B11/00
• 分類號: H01B11/00;H01B7/17;H01B7/02
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司11279
• 代理人: 宛文鳴,王芳

技術領域

本發明涉及通信設備技術領域，具體涉及縱包四通道小型封裝接口線。

背景技術

QSFP(Quad Small Form-factor Pluggable)：四通道SFP接口(QSFP)，QSFP是為了滿足市場對更高密度的高速可插拔解決方案的需求而誕生的。這種4通道的可插拔接口傳輸速率達到了40Gbps。

目前的縱包四通道小型封裝接口線的絕緣材料采用PE，其強度不足，線對鋁箔繞包屏蔽效果不好，導致其衰減、回波損耗、差分轉共模型號不良，亟待改進。

發明內容

本發明的目的在于針對現有技術的缺陷和不足，提供一種結構簡單，設計合理、使用方便的縱包四通道小型封裝接口線，采用改性PE，大大提高絕緣強度，線對屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測試完全滿足技術要求，實用性更強。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案是：它由數個中心線對和數個平行線對構成，數個中心線對組成的整體外部設有填充層，填充層的外圍設有數個平行線對，平行線對與中心線對組成的整體外部包設有屏蔽層，屏蔽層的外部設有外屏蔽層，外屏蔽層的外部設有外護套，所述的中心線對與平行線對均由兩個內導體和地線構成，每個內導體的外部設有改性PE絕緣體，兩個改性PE絕緣體之間上部設有地線，所述的兩個改性PE絕緣體以及地線組成的一個整體的外部縱包粘合有30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層，30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層的外部包設有小外被，小外被的外部設有線號標記層。

進一步地，所述的內導體為直徑0.28mm的鍍銀銅。

進一步地，所述的30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層得寬度為7mm。

進一步地，所述的改性PE絕緣體為直徑為0.85mm的鍍錫銅。

進一步地，所述的小外被為4mm寬*25μm厚的熱融PET帶。

進一步地，所述的填充層為發泡PP帶。

進一步地，所述的屏蔽層為20mm*25μm厚的鋁箔。

進一步地，所述的外屏蔽層的規格為24束*8根每束*0.12mm每根，編織節距為40mm。

進一步地，所述的外護套為直徑7.1mm的阻燃黑灰色PVC。

本發明的工作原理：四通道小型可插拔模塊具有四個獨立的全雙工收發通道它利用高密度的模塊替代單通道的SFP+,QSFP+只比標準的單通道SFP+模塊大30％，而每通道的傳輸速率完全媲美單通道的SFP+,這意味著在相同面板上可以配置更多的端口數量，采用了改性PE，絕緣強度提高了30％，線對屏蔽采用專門開發的30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測試完全滿足技術要求。

采用上述結構后，本發明有益效果為：本發明所述的縱包四通道小型封裝接口線，采用改性PE，大大提高絕緣強度，線對屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測試完全滿足技術要求，實用性更強，本發明具有結構簡單，設置合理，制作成本低等優點。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明的結構示意圖。

圖2是本發明中中心線對和平行線對的結構示意圖。

附圖標記說明：

內導體1、線號標記層2、30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層3、改性PE絕緣體4、地線5、小外被6、平行線對7、填充層8、屏蔽層9、外屏蔽層10、外護套11。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步的說明。

參看如圖1和圖2所示，本具體實施方式采用的技術方案是：它由兩個中心線對和六個平行線對7構成，兩個中心線對組成的整體外部設有填充層8，填充層8的外圍設有六個平行線對7，平行線對7與中心線對組成的整體外部包設有屏蔽層9，屏蔽層9的外部設有外屏蔽層10，外屏蔽層10的外部設有外護套11，所述的中心線對與平行線對7均由兩個內導體1和地線5構成，每個內導體1的外部設有改性PE絕緣體4，兩個改性PE絕緣體4之間上部設有地線5，所述的兩個改性PE絕緣體4以及地線5組成的一個整體的外部縱包粘合有30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層3，30μm厚的熱熔自粘鋁箔屏蔽層3的外部包設有小外被6，小外被6的外部設有線號標記層2。

進一步地，所述的內導體1為直徑0.28mm的鍍銀銅。