[發(fā)明專利]緩沖電路及模數(shù)轉(zhuǎn)換器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710030702.8
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN108322215A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐華;劉飛;荀本鵬;沈景龍;曲世軍
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H03M1/00
• 分類號: H03M1/00;H03M1/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張鳳偉;吳敏

1.一種緩沖電路，其特征在于，包括：主級電路及與所述主級電路耦接的從級電路，以及電壓調(diào)整電路，其中：

所述電壓調(diào)整電路，與所述主級電路及所述從級電路耦接，適于在所述緩沖電路的輸出電流非0時，調(diào)整所述主級電路的控制電壓，使得所述主級電路的輸出電壓與從級電路的輸出電壓相同。

2.如權(quán)利要求1所述的緩沖電路，其特征在于，所述主級電路包括：第一運(yùn)算放大器、與所述第一運(yùn)算放大器耦接的第一MOS管，以及與所述第一MOS管串聯(lián)的第一負(fù)載，其中：

所述第一運(yùn)算放大器，第一輸入端與參考電壓輸入端耦接，第二輸入端與所述第一MOS管的源極耦接，適于為所述第一MOS管提供柵極電壓作為所述主級電路的控制電壓，以及為所述第一MOS管提供源極電壓作為所述主級電路的輸出電壓；

所述第一MOS管的漏極與第一電壓輸入端連接，源極通過所述第一負(fù)載與第二電壓輸入端連接。

3.如權(quán)利要求2所述的緩沖電路，其特征在于，所述從級電路包括：第二MOS管及與所述第二MOS管串聯(lián)的第二負(fù)載，其中：

所述第二MOS管的柵極與所述第一MOS管的柵極連接，漏極與所述第一電壓輸入端連接，源極通過所述第二負(fù)載與所述第二電壓輸入端連接，所述第二MOS管的源極電壓作為所述從級電路的輸出電壓；

所述第二MOS管的尺寸為所述第一MOS管的M倍，所述第一負(fù)載的阻值為所述第二負(fù)載的M倍，M為正整數(shù)。

4.如權(quán)利要求3所述的緩沖電路，其特征在于，所述電壓調(diào)整電路適于在所述緩沖電路的輸出電流非0時，檢測所述第一MOS管的源極與第二MOS管的源極之間的電壓差，并根據(jù)所述電壓差調(diào)整所述第一MOS管的柵極電壓，使得所述第一MOS管的源極電壓與第二MOS管的源極電壓相同。

5.如權(quán)利要求4所述的緩沖電路，其特征在于，所述電壓調(diào)整電路包括：

電壓差檢測電路，與所述第一MOS管的源極以及第二MOS管的源極耦接，適于檢測所述第一MOS管的源極與第二MOS管的源極之間的電壓差，并基于所述電壓差產(chǎn)生相應(yīng)的控制信號；

電流調(diào)整電路，與所述第一負(fù)載并聯(lián)，適于基于所述控制信號，增大自身的電流，以調(diào)整所述第一MOS管的柵極電壓。

6.如權(quán)利要求5所述的緩沖電路，其特征在于，所述電壓差檢測電路為誤差放大器。

7.如權(quán)利要求5所述的緩沖電路，其特征在于，所述電流調(diào)整電路為第三MOS管，所述第三MOS管的柵極與所述電壓差檢測電路耦接，源極和漏極與所述第一負(fù)載的兩端連接。

8.如權(quán)利要求7所述的緩沖電路，其特征在于，所述第三MOS管為NMOS管。

9.如權(quán)利要求3所述的緩沖電路，其特征在于，所述第一MOS管及第二MOS管均為NMOS管或者均為PMOS管。

10.如權(quán)利要求3所述的緩沖電路，其特征在于，所述主級電路還包括：電容，與所述第一MOS管的柵極耦接，且與所述第一負(fù)載并聯(lián)。

11.一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括權(quán)利要求1～10任一項(xiàng)所述的緩沖電路。