[發(fā)明專(zhuān)利]電子滅弧反饋裝置及滅弧裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710029090.0
• 申請(qǐng)日: 2017-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106847581B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭橋石
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣州市金矢電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01H9/30
• 分類(lèi)號(hào): H01H9/30;H01H9/54
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種電子滅弧反饋裝置，其特征是：其包括一電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)、第一光電耦合器、一整流器件、一電容，所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)與用于滅弧的功率器件連接，檢測(cè)所需滅弧的機(jī)械開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，工作電源通過(guò)所述整流器件為所述電容充電，所述電容通過(guò)所述第一光電耦合器的控制端、所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)形成放電回路，所述第一光電耦合器輸出檢測(cè)信號(hào)，所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)為半控型開(kāi)關(guān)或閾值小于所述功率器件通態(tài)電壓的全控型開(kāi)關(guān)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)在檢測(cè)到所述功率器件的兩端存在電位差時(shí)導(dǎo)通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：還包括第一限流元件、一穩(wěn)壓器件，所述第一限流元件與所述整流器件串聯(lián)，所述穩(wěn)壓器件與所述電容并聯(lián)或所述穩(wěn)壓器件通過(guò)所述整流器件與所述電容并聯(lián)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述第一限流元件為一電阻，所述整流器件為一二極管，所述穩(wěn)壓器件為一穩(wěn)壓二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述工作電源由中性線(xiàn)或相對(duì)于所述功率器件的另一相線(xiàn)提供。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述工作電源由一變壓器輸出繞組提供。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述功率器件為單向晶閘管或雙向晶閘管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)包括第二限流元件、半導(dǎo)體器件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)串聯(lián)在所述功率器件的驅(qū)動(dòng)回路中，所述電容為所述功率器件提供驅(qū)動(dòng)能量。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)包括第二限流元件、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管，所述第二晶體管的基極通過(guò)所述第二限流元件與所述功率器件主回路端連接，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述第三晶體管的基極連接，所述第二晶體管的基極與所述第三晶體管的發(fā)射極連接，所述第三晶體管的集電極與所述第四晶體管的基極連接，所述第二晶體管的集電極、所述第四晶體管的發(fā)射極與所述第一晶體管的基極連接，所述第四晶體管的集電極與所述第二晶體管的發(fā)射極連接，所述第一晶體管的集電極與所述第二晶體管的基極連接，所述第一晶體管的發(fā)射極、所述第二晶體管的發(fā)射極串聯(lián)在所述放電回路中。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)包括第二限流元件、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管，所述第二晶體管的基極通過(guò)所述第二限流元件與所述功率器件主回路端連接，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述第三晶體管的基極連接，所述第二晶體管的基極與所述第三晶體管的發(fā)射極連接，所述第三晶體管的集電極與所述第四晶體管的基極連接，所述第二晶體管的集電極、所述第四晶體管的發(fā)射極與所述第一晶體管的基極連接，所述第四晶體管的集電極與所述第二晶體管的發(fā)射極連接，所述第一晶體管的發(fā)射極、所述第一晶體管的集電極串聯(lián)在所述放電回路中。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)還包括第五晶體管，所述第五晶體管的集電極與所述第一晶體管的基極連接，所述第五晶體管的基極與所述第一晶體管的集電極連接，所述第一晶體管的發(fā)射極、所述第五晶體管的發(fā)射極串聯(lián)在所述放電回路中。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述電壓檢測(cè)開(kāi)關(guān)至少包括一晶閘管，或一晶閘管等效電路。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子滅弧反饋裝置，其特征是：所述半控型開(kāi)關(guān)的閾值小于所述功率器件通態(tài)電壓。

15.一種滅弧裝置，其特征是：其包括根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一權(quán)利要求所述的電子滅弧反饋裝置，還包括控制單元、所述功率器件、第二光電耦合器，所述控制單元通過(guò)所述第二光電耦合器與所述功率器件的驅(qū)動(dòng)回路連接，所述第一光電耦合器輸出信號(hào)傳遞至所述控制單元，所述控制單元根據(jù)所述第一光電耦合器輸出信號(hào)關(guān)閉所述功率器件的導(dǎo)通控制信號(hào)。