[發明專利]一種選區外延納米柱陣列的有序轉移方法

在審

• 申請號: 201710028756.0
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN106698333A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 李俊澤;李沫;龍衡;王文杰;張健
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙)51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種選區外延納米柱陣列的有序轉移方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟1：準備在帶開孔型SiO₂掩膜的藍寶石襯底上，利用MOCVD或者MBE選區外延制備的納米柱陣列外延片，并測量其高度；

步驟2：根據納米柱陣列的高度旋涂PDMS預聚物，PDMS預聚物的厚度至少低于納米柱頂部1微米；然后將外延片放入真空內進行抽氣處理，徹底去除混合物中的氣泡；最后將外延片進行加熱，保持溫度為90-135℃，加熱時間為1-2小時，使PDMS預聚物完全固化；

步驟3：腐蝕襯底SiO₂掩膜層，將外延片浸泡于BOE腐蝕液5-7分鐘，移除SiO₂掩膜層，以減弱納米柱材料與襯底的連接強度，同時保留掩膜孔中的納米柱材料；

步驟4：從BOE腐蝕液中取出外延片，依次用酒精與去離子水清洗，再吹干，然后揭下PDMS預聚物獲得納米柱陣列，實現大面積納米柱陣列的有序轉移，并且保留納米柱頂端與底端材料，方便鍵合到其他材料或者電極制備。

2.根據權利要求1所述的一種選區外延納米柱陣列的有序轉移方法，其特征在于：所述SiO₂掩膜的厚度為70-150納米，周期范圍1~3微米。

3.根據權利要求1所述的一種選區外延納米柱陣列的有序轉移方法，其特征在于：單根納米柱的直徑在300~800納米，高度在5~20微米，若干單根納米柱形成具有周期性排列均勻納米柱陣列。

4.根據權利要求1所述的一種選區外延納米柱陣列的有序轉移方法，其特征在于：步驟2中將旋涂PDMS預聚物后的外延片放入真空進行抽氣處理，保持50-90分鐘，使得PDMS與納米柱陣列充分接觸并排出混合液中的氣泡。

5.根據權利要求1所述的一種選區外延納米柱陣列的有序轉移方法，其特征在于：步驟4中吹干是采用氮氣吹干。