[發(fā)明專利]磁性元件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710028656.8 | 申請日： | 2017-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN107275067B | 公開（公告）日： | 2019-03-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林國藩;涂富凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 全漢企業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01F41/02 | 分類號： | H01F41/02;H01F27/26;H01F3/14;H01F17/04 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 張艷美;郝傳鑫 |
| 地址： | 中國臺灣桃*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁性 元件 制造 方法 | ||
本發(fā)明公開一種磁性元件的制造方法，其包括下列步驟：以導(dǎo)磁性材料形成一塊狀體，塊狀體具有中心柱以及側(cè)柱；沿一第一平面切割塊狀體以形成第一半體以及第二半體，第一平面系通過中心柱與側(cè)柱；組合第一半體以及第二半體，并使第一半體與第二半體的中心柱之間形成一第一氣隙，使第一半體與第二半體的側(cè)柱之間形成第二氣隙；以及沿第二平面切割或研磨黏合后的第一半體以及第二半體以形成第三半體，第二平面系通過中心柱與側(cè)柱，第三半體包括第一氣隙以及第二氣隙。由于在中心柱及側(cè)柱上分別形成復(fù)數(shù)個氣隙，如此氣隙可以均勻地分布在整個磁路中，不會過度集中在中心柱，同時又可以發(fā)揮避免磁飽和的效果，且使漏磁損耗可以控制在希望的范圍內(nèi)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明系有關(guān)于一種磁性元件的制造方法，特別是有關(guān)于一種在磁路上具有多數(shù)個氣隙的磁性元件的制造方法。
背景技術(shù)
圖1A、1B表示習(xí)知的電感元件，習(xí)知的磁性元件例如變壓器、電感元件等會利用第一磁芯11之中心柱111與第二磁芯12之中心柱121間形成的單一氣隙14來避免磁飽和，然而此種單一氣隙14若間距過大會造成較高的漏磁，導(dǎo)致能量耗損增加。且習(xí)知具氣隙的磁性元件需要使用繞線架10將繞線組13固定于第一磁芯11與第二磁芯12之間，會使所能容置的繞線組減少，而降低繞線使用率及磁性元件的工作效率。市面上有磁性元件在中心柱設(shè)置多氣隙來降低及分散漏磁耗損、降低擴散磁通，但磁芯中心柱氣隙分布及數(shù)量有其極限，且當(dāng)氣隙的數(shù)量增加時，氣隙之間的距離會變小，而當(dāng)氣隙之間的距離小于一長度時，擴散磁通無法持續(xù)有效降低，因此效率提升有限。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種磁性元件的制造方法，使磁性元件的磁芯件在磁路上的中心柱及側(cè)柱上分別形成復(fù)數(shù)個氣隙，如此氣隙可以均勻地分布在整個磁路中，不會過度集中在中心柱，同時又可以發(fā)揮避免磁飽和的效果，而且使漏磁損耗可以控制在希望的范圍內(nèi)。
本發(fā)明所提供的磁性元件的制造方法的一實施例包括下列步驟：以導(dǎo)磁性材料形成一塊狀體，塊狀體具有中心柱以及側(cè)柱；沿一第一平面切割塊狀體以形成第一半體以及第二半體，第一平面系通過中心柱與側(cè)柱；黏合第一半體以及第二半體，并使第一半體與第二半體的中心柱之間形成一第一氣隙，使第一半體與第二半體的側(cè)柱之間形成第二氣隙；以及沿第二平面切割或研磨黏合后的第一半體以及第二半體以形成第三半體，第二平面系通過中心柱與側(cè)柱，第三半體包括第一氣隙以及第二氣隙。
在另一實施例中，塊狀體更具有第一連接部及第二連接部，第一連接部連接中心柱以及側(cè)柱，第二連接部連接中心柱以及側(cè)柱，第一半體具有第一連接部，且第二半體具有第二連接部。
在另一實施例中，沿一第二平面切割或研磨黏合后的第一半體以及第二半體的步驟更包括：切割或研磨第一半體的第一連接部。
在另一實施例中，第一半體的第一連接部的厚度小于第二半體的第二連接部的厚度。
在另一實施例中，第一半體的第一連接部的厚度是大于或等于2毫米以及小于或等于5毫米。
在另一實施例中，黏合第一半體以及第二半體的步驟更包括：在第一半體以及第二半體之間形成一間距，并在間距中涂布黏膠后進行燒結(jié)。
在另一實施例中，黏膠系為一種導(dǎo)熱膠(Bond-ply)材料。
在另一實施例中，將一繞線組放置于第三半體與另一第三半體之間并套設(shè)于中心柱；以及將第三半體與另一第三半體組合。
在另一實施例中，將第三半體與另一第三半體組合的步驟包括：在第三半體與另一第三半體之間形成一間隙，而在第三半體的中心柱與另一第三半體的中心柱之間形成第三氣隙，在第三半體的側(cè)柱與另一第三半體的側(cè)柱之間形成第四氣隙。
在另一實施例中，繞線組系為一導(dǎo)電片繞組。
在另一實施例中，磁性元件的制造方法更包括：將一隔離元件自外側(cè)固定于該側(cè)柱，并使該隔離元件與該側(cè)柱具有一預(yù)設(shè)距離。
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