[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體光學(xué)器件的方法及半導(dǎo)體光學(xué)器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710028587.0
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN106972345B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 渡邊孝幸
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會社
• 主分類號: H01S5/227
• 分類號: H01S5/227;H01S5/323
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;張蕓

1.一種形成半導(dǎo)體光學(xué)器件的方法，包括如下步驟：

形成臺面，所述臺面包括第一導(dǎo)電類型的下包覆層、有源層以及與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的上包覆層，所述臺面兩側(cè)使所述下包覆層的表面露出；

掩埋所述臺面，通過選擇性地生長具有所述第二導(dǎo)電類型的第一掩埋層來掩埋所述臺面，所述第一掩埋層將所述臺面中的所述下包覆層、所述有源層和所述上包覆層的兩側(cè)覆蓋起來，所述第一掩埋層具有位于所述臺面?zhèn)鹊钠教姑嬉约傲硪槐砻妫銎教姑娴谋砻嫒∠蚍从沉怂鱿掳矊拥膹乃雠_面兩側(cè)露出的表面的表面取向，并且所述另一表面相對于所述平坦面具有更高指數(shù)的表面取向，所述平坦面的水平高度高于所述臺面中的所述有源層的水平高度；以及

生長第二掩埋層，在540℃至580℃之間的溫度使所述第一導(dǎo)電類型的所述第二掩埋層在覆蓋所述第一掩埋層的同時生長，所述第二掩埋層具有平坦面和另一表面，所述第二掩埋層的所述平坦面與所述第一掩埋層的所述平坦面疊置，并具有與所述第一掩埋層的所述平坦面的所述表面取向相同的表面取向，所述第二掩埋層在所述第一掩埋層的所述平坦面的部分中的厚度比在所述第一掩埋層的所述另一表面的部分中的另一厚度薄，

其中，形成所述臺面的步驟包括如下步驟：

在所述上包覆層的一部分中形成蝕刻掩模；以及

對位于所述蝕刻掩模的兩側(cè)的部分中的所述上包覆層、所述有源層以及所述下包覆層的一部分進(jìn)行蝕刻，并且

掩埋所述臺面的步驟包括如下步驟：

在從所述蝕刻掩模露出的部分中選擇性地生長所述第一掩埋層，關(guān)于所述蝕刻掩模，所述第一掩埋層的所述平坦面形成為與所述蝕刻掩模相鄰，而所述第一掩埋層的所述另一表面形成為遠(yuǎn)離所述蝕刻掩模，以及

在生長所述第二掩埋層的步驟之前使所述蝕刻掩模縮窄。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，形成所述臺面的步驟包括如下步驟：

制備基板，所述基板包括具有(100)表面取向的主平面；

在所述基板的所述主平面上生長所述下包覆層、所述有源層和所述上包覆層，所述下包覆層的頂面具有(100)表面取向；以及

去除所述臺面兩側(cè)的所述下包覆層的一部分、所述有源層的一部分和所述上包覆層的一部分，以形成所述臺面，

所述下包覆層的所述表面從所述臺面兩側(cè)露出，所述第一掩埋層的所述平坦面和所述第二掩埋層的所述平坦面具有所述(100)表面取向。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，掩埋所述臺面的所述步驟包括如下步驟：選擇性地生長所述第一掩埋層，使得所述第一掩埋層的所述平坦面的水平高度變得高于所述臺面的頂部水平高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，掩埋所述臺面的步驟包括如下步驟：選擇性地使半絕緣半導(dǎo)體層生長為所述第一掩埋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，在生長壓力不小于13.3kPa的條件下執(zhí)行生長所述第二掩埋層的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，通過供應(yīng)氯甲烷來執(zhí)行生長所述第二掩埋層的步驟。