[發明專利]一種集成供電系統封裝件的封裝方法在審
| 申請號: | 201710027982.7 | 申請日: | 2017-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN106783649A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 林章申;林正忠;何志宏;蔡奇風 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成 供電系統 封裝 方法 | ||
1.一種集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于,所述封裝件包括用電系統裸芯和位于所述用電系統裸芯下方的供電系統裸芯,所述封裝方法包括以下步驟:
提供一載體;
在所述載體上形成再布線層;
在所述再布線層上形成柱狀金屬引線;
分別將供電系統裸芯的有源模塊和無源模塊焊接在所述再布線層上,所述再布線層實現有源模塊和無源模塊之間電連接,并提供多條對接所述用電系統裸芯的供電軌道;
將所述有源模塊和無源模塊以及所述柱狀金屬引線在所述再布線層上封裝成型,并研磨掉覆蓋所述有源模塊、無源模塊和柱狀金屬引線的多余封裝成型材料;
形成連接所述柱狀金屬引線的底座焊料凸塊,并去除所述載體;
通過多個焊接凸塊將用電系統裸芯焊接在所述再布線層上,實現用電系統裸芯與多條所述供電軌道的對接,然后通過底部填充將所述用電系統裸芯封裝固定在所述再布線層上。
2.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:所述供電系統裸芯為高壓供電系統裸芯,將外部電源的高電壓轉換成所述用電系統裸芯中需要的多個不同的低電壓,并提供多條對接所述用電系統裸芯的低壓供電軌道。
3.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:所述有源模塊包括控制器和降壓轉換器,所述無源模塊包括電容、電感和電阻。
4.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:所述有源模塊與所述無源模塊橫向排列。
5.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:所述再布線層包括:金屬連線、通孔以及設于所述金屬連線和通孔周圍的介電層,所述金屬連線通過所述通孔實現與所述有源模塊、無源模塊和柱狀金屬引線的電連接以及多層金屬連線之間的層間連接。
6.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:所述再布線層上設有凸塊下金屬層,所述有源模塊、無源模塊、柱狀金屬引線以及用電系統裸芯通過所述凸塊下金屬層與所述再布線層電連接。
7.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:所述柱狀金屬引線為金屬針或金屬柱。
8.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:所述柱狀金屬引線采用鍵合或電鍍的方法在所述再布線層上形成。
9.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:所述封裝成型的方法為壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓或旋涂。
10.根據權利要求1所述的集成供電系統封裝件的封裝方法,其特征在于:將所述用電系統裸芯焊接在所述再布線層上的多個焊接凸塊為微凸塊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





