[發(fā)明專利]太陽能電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710024078.0
• 申請日: 2017-01-13
• 公開（公告）號: CN106997906B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 李承允;池光善;李洪哲;黃圣賢
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/048
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種太陽能電池，所述太陽能電池包括：

第一導電類型的晶體半導體基板；

前摻雜層，所述前摻雜層位于所述半導體基板的前表面和側表面上并與所述半導體基板形成異質結；

前鈍化層，所述前鈍化層位于所述前摻雜層與所述半導體基板之間；

后摻雜層，所述后摻雜層位于所述半導體基板的后表面和側表面上并與所述半導體基板形成異質結；

后鈍化層，所述后鈍化層位于所述后摻雜層與所述半導體基板之間；

前透明導電層，所述前透明導電層位于所述前摻雜層上；以及

后透明導電層，所述后透明導電層位于所述后摻雜層下，

其中，所述前摻雜層和所述后摻雜層中的一個具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型，而所述前摻雜層和所述后摻雜層中的另一個具有所述第一導電類型，

其中，所述前透明導電層的平面面積大于所述后透明導電層的平面面積，

其中，在所述半導體基板的側表面處，所述前透明導電層覆蓋所述后摻雜層，并且

其中，在所述半導體基板的所述側表面處，所述后鈍化層位于所述前摻雜層和所述后摻雜層之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述前透明導電層在第一方向上的寬度等于或大于所述半導體基板在所述第一方向上的寬度。

3.根據(jù)權利要求2所述的太陽能電池，其中，在所述半導體基板的所述前表面的邊緣區(qū)域的至少一部分中不形成所述前透明導電層。

4.根據(jù)權利要求3所述的太陽能電池，其中，不形成所述前透明導電層的區(qū)域局部地位于所述半導體基板的所述前表面的所述邊緣區(qū)域的一部分中。

5.根據(jù)權利要求4所述的太陽能電池，其中，不形成所述前透明導電層的多個區(qū)域彼此間隔開。

6.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述后透明導電層在第一方向上的寬度和在與所述第一方向正交的第二方向上的寬度分別小于所述半導體基板在所述第一方向上的寬度和在所述第二方向上的寬度。

7.根據(jù)權利要求6所述的太陽能電池，其中，在所述半導體基板的所述后表面的邊緣區(qū)域中不形成所述后透明導電層。

8.根據(jù)權利要求7所述的太陽能電池，其中，沿著所述半導體基板的邊緣連續(xù)地形成不形成所述后透明導電層的區(qū)域。

9.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述半導體基板的所述前表面和所述后表面中的每個包括沿著半導體基板的邊緣從所述半導體基板的邊緣到所述半導體基板的內部連續(xù)地形成的邊緣區(qū)域以及作為除了所述邊緣區(qū)域以外的剩余區(qū)域的中心區(qū)域，

其中，所述前透明導電層被整體形成在所述半導體基板的所述前表面的所述邊緣區(qū)域和所述中心區(qū)域中，或者被形成在所述中心區(qū)域以及除了在所述前表面的所述邊緣區(qū)域的一部分中不連續(xù)地形成的非形成部分以外的剩余邊緣區(qū)域中，并且

其中，所述后透明導電層僅被形成在所述后表面的除了所述邊緣區(qū)域之外的中心區(qū)域中。

10.根據(jù)權利要求9所述的太陽能電池，其中，所述半導體基板的所述后表面的所述邊緣區(qū)域的寬度為0.5mm至1.5mm。

11.根據(jù)權利要求9所述的太陽能電池，其中，所述半導體基板的所述后表面的所述邊緣區(qū)域的寬度為0.5mm至1.0mm。

12.根據(jù)權利要求9所述的太陽能電池，其中，所述半導體基板的所述前表面和所述后表面中的至少一個被形成為包括多個細微凹凸的紋理化表面。

13.根據(jù)權利要求9所述的太陽能電池，其中，所述半導體基板包含n型雜質，所述前摻雜層由包含p型雜質的p型非晶硅形成，并且所述后摻雜層由包含n型雜質的n型非晶硅形成。