[發明專利]半導體器件和MEMS器件

有效

• 申請號: 201710024010.2
• 申請日: 2017-01-13
• 公開（公告）號: CN107055459B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 鄭鈞文;李久康
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

第一結構，位于所述襯底上方，所述第一結構具有第一部分和第二部分；

第二結構，位于所述襯底上方，所述第二結構具有從所述第二結構的邊緣突出并且朝向所述第一結構的第一部分延伸的第一突起；以及

第三結構，位于所述襯底上方并且由所述第二結構支撐，所述第三結構具有從所述第三結構的邊緣突出并且朝向所述第一結構的第二部分延伸的第二突起，其中，所述第一結構是靜止結構，所述第二結構是回彈結構，所述第三結構是耦合至所述回彈結構的質量塊，并且所述回彈結構配置為允許所述質量塊朝向或遠離所述靜止結構移動，

其中，所述第一突起和所述第一部分之間的第一間隙小于所述第二突起和所述第二部分之間的第二間隙。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一結構的第一部分和所述第二結構的邊緣之間的第一距離等于所述第一結構的第二部分和所述第三結構的邊緣之間的第二距離。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第一突起具有第一厚度，所述第二突起具有第二厚度，并且所述第一厚度大于所述第二厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一結構的第一部分和所述第二結構的邊緣之間的第一距離小于所述第一結構的第二部分和所述第三結構的邊緣之間的第二距離。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一突起具有第一厚度，所述第二突起具有第二厚度，并且所述第一厚度等于所述第二厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一突起和所述第二結構整體地形成，并且所述第二突起和所述第三結構整體地形成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一部分和第二部分彼此斷開。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一結構是導電的。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二結構是導電的。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三結構是導電的。

11.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第一距離在從2微米至3微米的范圍內。

12.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一厚度和所述第二厚度之間的差為0.5微米。

13.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述回彈結構具有纏繞圖案。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二突起的彈性小于所述第一突起的彈性。

15.一種半導體器件，包括：

襯底；

第一結構，位于所述襯底上方，所述第一結構具有第一部分和第二部分；

第二結構，位于所述襯底上方；

第三結構，位于所述襯底上方并且由所述第二結構支撐，其中，所述第一結構是靜止結構，所述第二結構是回彈結構，所述第三結構是耦合至所述回彈結構的質量塊，并且所述回彈結構配置為允許所述質量塊朝向或遠離所述靜止結構移動；

第一突起，從所述第二結構的邊緣突出并且朝向所述第一結構的第一部分延伸；以及

第二突起，從所述第一結構的第二部分的邊緣突出并且朝向所述第三結構延伸，

其中，所述第一突起和所述第一部分之間的第一間隙小于所述第二突起和所述第三結構之間的第二間隙。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述第一結構的第一部分和所述第二結構的邊緣之間的第一距離等于所述第一結構的第二部分的邊緣和所述第三結構之間的第二距離。