[發(fā)明專利]圖像傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710022739.6
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN107068703B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設計）人: 井原久典
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種圖像傳感器，包括：

包括邏輯電路的下部基板；

提供在所述下部基板上的互連層，所述互連層被電連接到所述邏輯電路；

提供在所述互連層上的上部基板，所述上部基板具有多個像素和提供在每個所述像素中的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；

第一器件隔離圖案，提供在所述上部基板中并限定所述多個像素；以及

第二器件隔離圖案，提供在所述上部基板中，

其中所述上部基板具有彼此相反的第一表面和第二表面，所述第一表面被如此配置使得光穿過所述第一表面到所述圖像傳感器中，其中提供在所述上部基板上的所有晶體管是相同導電類型的晶體管，

其中所述晶體管的每個包括：

提供在所述上部基板中的源/漏區(qū)域；

提供在所述上部基板上的上部柵電極；以及

設置在所述上部基板和所述上部柵電極之間的硅氧化物層，所述硅氧化物層與所述上部基板和所述上部柵電極接觸，

其中所述第二器件隔離圖案限定在其中形成所述源/漏區(qū)域的有源區(qū)域，

其中所述第二器件隔離圖案包括在平面圖中與所述第一器件隔離圖案重疊的第一部分，

其中所述第二器件隔離圖案還包括在平面圖中設置在兩個晶體管之間的第二部分，所述兩個晶體管設置在所述多個像素中的一個像素中，

其中所述第二器件隔離圖案的所述第一部分和所述第二部分在關(guān)于所述上部基板的所述第一表面和所述第二表面的垂直方向上的深度是相同的，

其中所述光電轉(zhuǎn)換區(qū)域在所述垂直方向上與所述兩個晶體管和所述第二部分重疊，以及

其中所述第二器件隔離圖案的所述第一部分和所述第二部分包括相同的材料。

2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述硅氧化物層不包括氮。

3.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述源/漏區(qū)域包括N型摻雜劑。

4.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述下部基板包括：

提供在所述下部基板中的源/漏部分；

關(guān)于平面圖提供在所述源/漏部分之間的溝道區(qū)域上的下部柵電極；

設置在所述下部基板和所述下部柵電極之間的硅氧化物圖案；以及

提供在所述硅氧化物圖案和所述下部柵電極之間的硅氮化物圖案。

5.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中所述上部柵電極中包括的摻雜劑的導電類型與所述下部柵電極中包括的摻雜劑的導電類型相同，以及

其中硅氮化物層不被提供在所述上部基板和所述上部柵電極之間。

6.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述晶體管的所述上部柵電極包括傳輸柵電極、源極跟隨器柵電極、選擇柵電極和復位柵電極。

7.如權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述傳輸柵電極包括：

延伸到所述上部基板中的第一部分；以及

設置在所述上部基板的所述第二表面上并且被連接到所述傳輸柵電極的所述第一部分的第二部分。

8.如權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中所述源極跟隨器柵電極、所述選擇柵電極和所述復位柵電極被設置在所述上部基板的所述第二表面上并且平行于所述第二表面。

9.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第二器件隔離圖案被提供在所述第一器件隔離圖案與所述上部基板的所述第二表面之間，其中所述第二器件隔離圖案的側(cè)壁從所述第一器件隔離圖案的側(cè)壁橫向偏移。

10.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一器件隔離圖案具有鄰近于所述上部基板的所述第一表面的頂表面和鄰近于所述上部基板的所述第二表面的底表面，以及

其中所述第一器件隔離圖案的所述頂表面的寬度小于所述第一器件隔離圖案的所述底表面的寬度。

11.如權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，還包括：

提供在所述第一器件隔離圖案的側(cè)壁上的摻雜隔離層。