[發(fā)明專利]阻變隨機存儲器存儲單元及其制作方法、電子裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710022652.9
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN108305936A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 宋以斌
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種阻變隨機存儲器存儲單元的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成層疊結構，所述層疊結構包括交錯層疊的第一電極層和隔離層；

在所述層疊結構的側壁上形成阻變層；

至少在所述阻變層的側壁上形成第二電極層，從而形成多個存儲單元。

2.根據(jù)權利要求1所述的阻變隨機存儲器存儲單元的制作方法，其特征在于，所述阻變層包括第一金屬氧化物層和相對所述層疊結構位于所述第一金屬氧化物層外側的第二金屬氧化物層。

3.根據(jù)權利要求1所述的阻變隨機存儲器存儲單元的制作方法，其特征在于，所述層疊結構上設置有兩個以上的沿第一方向間隔布置的所述第二電極層，所述第一方向與所述層疊結構的堆疊方向垂直，并平行于所述阻變層。

4.根據(jù)權利要求3所述的阻變隨機存儲器存儲單元的制作方法，其特征在于，至少在所述阻變層的側壁上形成第二電極層的步驟包括：

在所述層疊結構頂部、所述阻變層的側壁和所述半導體襯底的表面上形成第二電極材料層；

對所述第二電極材料層進行圖形化以至少在所述側壁上形成沿所述第一方向間隔布置的所述第二電極層。

5.根據(jù)權利要求1所述的阻變隨機存儲器存儲單元的制作方法，其特征在于，所述層疊結構的數(shù)量為兩個以上，并沿第二方向間隔排列；

所述第二電極層覆蓋所述層疊結構的頂部、所述阻變層的側壁，以及所述半導體襯底的表面；

相鄰的所述層疊結構上的位于沿所述第二方向延伸的同一直線上的所述第二電極層彼此電性連接。

6.根據(jù)權利要求1-5中的任意一項所述的阻變隨機存儲器存儲單元的制作方法，其特征在于，所述第一電極層、所述阻變層和第二電極層形成導電橋接結構。

7.一種阻變隨機存儲器存儲單元，其特征在于，包括：

半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有層疊結構，所述層疊結構包括交錯層疊的第一電極層和隔離層；

在所述層疊結構的側壁上形成有阻變層；

至少在所述阻變層的側壁上形成有第二電極層。

8.根據(jù)權利要求7所述的阻變隨機存儲器存儲單元，其特征在于，所述阻變層包括第一金屬氧化物層和相對所述層疊結構位于所屬第一金屬氧化物層外側的第二金屬氧化物層。

9.根據(jù)權利要求7所述的阻變隨機存儲器存儲單元，其特征在于，所述層疊結構上設置有兩個以上的沿第一方向間隔布置的所述第二電極層，所述第一方向與所述層疊結構的堆疊方向垂直，并平行于所述阻變層。

10.根據(jù)權利要求7所述的阻變隨機存儲器存儲單元，其特征在于，所述層疊結構的數(shù)量為兩個以上，并沿第二方向間隔排列。

11.根據(jù)權利要求10所述的阻變隨機存儲器存儲單元，其特征在于，所述第二電極層覆蓋所述層疊結構的頂部、所述阻變層的側壁，以及所述半導體襯底的表面；

相鄰的所述層疊結構上的位于沿所述第二方向延伸的同一直線上的所述第二電極層彼此電性連接。

12.根據(jù)權利要求7-11中的任意一項所述的阻變隨機存儲器存儲單元，其特征在于，所述第一電極層、所述阻變層和第二電極層形成導電橋接結構。

13.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求7-12中的任意一項所述的阻變隨機存儲器存儲單元以及與所述阻變隨機存儲器存儲單元相連接的電子組件。