[發明專利]氮化物半導體發光器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201710022586.5
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN108305918B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 孫錢;馮美鑫;周宇;高宏偉;楊輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/16;H01L33/20;H01L33/44;H01S5/22;H01S5/30
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種氮化物半導體發光器件，其特征在于包括外延結構，所述外延結構具有第一面和與第一面相背對的第二面，所述第一面為面并位于所述外延結構的n型側，所述第二面位于所述外延結構的p型側，所述外延結構的n型側與n型電極電性接觸，p型側與p型電極電性接觸，并且所述第一面形成有脊型波導結構。

2.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述外延結構包括依次設置的n型接觸層、n側波導層、有源區、p側波導層和p型接觸層，所述n型電極與n型接觸層電性接觸，所述p型電極與p型接觸層電性接觸。

3.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述n型電極與n型接觸層之間形成歐姆接觸，所述p型電極與p型接觸層之間形成歐姆接觸。

4.根據權利要求3所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述p型電極與p型接觸層整面接觸。

5.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述n型接觸層與n側波導層之間還設置有n型光學限制層。

6.根據權利要求5所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述p側波導層與p型接觸層之間還設置有p型光學限制層。

7.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述p側波導層與p型接觸層之間還設有電子阻擋層。

8.根據權利要求7所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述電子阻擋層設置于p側波導層和p型光學限制層之間。

9.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述n型接觸層的厚度為5～3000nm。

10.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述外延結構的第一面上除脊型波導結構之外的至少部分區域上還覆設有絕緣膜。

11.根據權利要求10所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述絕緣膜的材質包括SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、AlON、SiAlON、TiO₂、Ta₂O₅、ZrO₂和多晶硅中的任意一種或兩種以上的組合。

12.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述外延結構的第一面還覆設有加厚電極，所述加厚電極與n型電極電性連接。

13.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述脊型波導結構的脊型寬度為0.5～100μm，脊型深度為0～2μm。

14.根據權利要求6所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述n型接觸層、p型接觸層、n型光學限制層、p型光學限制層、p側波導層和n側波導層的材質包括Al_x1In_y1Ga_(1-x1-y1)N，其中x1和y1均大于或等于0而小于或等于1，且0≤(x1+y1)≤1。

15.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光器件，其特征在于：所述有源區的材質包括Al_x2In_y2Ga_(1-x2-y2)N或Al_x3In_y3Ga_(1-x3-y3)N，其中x2、y2、x3和y3均大于或等于0而小于或等于1，且0≤(x2+y2)≤1，0≤(x3+y3)≤1。