[發(fā)明專利]一種微型柔性生物電極陣列及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710022002.4 | 申請日： | 2017-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN108294741B | 公開（公告）日： | 2023-01-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔣興宇;楊俊川;王樂 | 申請（專利權(quán)）人： | 國家納米科學(xué)中心 |
| 主分類號： | A61B5/263 | 分類號： | A61B5/263;A61B5/279;A61B5/293;A61B5/294;B81B3/00;B81C1/00;A61K50/00 |
| 代理公司： | 北京市英智偉誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11521 | 代理人： | 劉丹妮 |
| 地址： | 100190 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 微型 柔性 生物 電極 陣列 及其 制備 方法 | ||
1.一種微型柔性生物電極陣列，其特征在于，所述微型柔性生物電極依次包括細菌纖維素膜、金屬導(dǎo)電層和絕緣層；其中，
所述微型柔性生物電極陣列的制備方法包括：
(1)熱壓干細菌纖維素形成細菌纖維素薄膜，
(2)在步驟(1)形成的細菌纖維素薄膜上加工微電極陣列形成表面具有金屬導(dǎo)電層的細菌纖維素薄膜，
(3)在步驟(2)形成的金屬導(dǎo)電層表面制備絕緣層；
并且，所述微型柔性生物電極陣列達到30微米精度；
所述金屬導(dǎo)電層中的金屬為Ti和/或Cr；
所述金屬導(dǎo)電層中的Ti厚度為20～30nm，和/或Cr厚度為10nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型柔性生物電極陣列，其特征在于，所述細菌纖維素膜的厚度為10μm～100μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微型柔性生物電極陣列，其特征在于，所述絕緣層為SU-8光刻膠或氮化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型柔性生物電極陣列，其特征在于，所述SU-8光刻膠的厚度為100～500nm，和/或所述氮化硅的厚度為800nm。
5.權(quán)利要求1-4中任一項所述的微型柔性生物電極陣列的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
(1)熱壓干細菌纖維素形成細菌纖維素薄膜，
(2)在步驟(1)形成的細菌纖維素薄膜上加工微電極陣列形成表面具有金屬導(dǎo)電層的細菌纖維素薄膜，
(3)在步驟(2)形成的金屬導(dǎo)電層表面制備絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)加工微電極陣列的方法包括：使用蔭罩方法，將電極金屬掩膜覆蓋在所述細菌纖維素薄膜上，采用磁控噴濺或蒸鍍方式在所述細菌纖維素薄膜的表面鍍上所述金屬導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)制備絕緣層的方法包括：利用光蝕刻的原理在所述金屬導(dǎo)電層表面覆蓋一層SU-8光刻膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)制備絕緣層的方法包括：利用低溫等離子體增強化學(xué)氣相沉積法或等離子體增強化學(xué)氣相沉積法，在所述金屬導(dǎo)電層表面沉積上一層氮化硅組成絕緣層。
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