[發明專利]一種發光二極管的外延片及其制備方法有效
| 申請號： | 201710021780.1 | 申請日： | 2017-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN106876531B | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發明（設計）人： | 劉華容 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發光二極管的外延片，所述外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型GaN層、發光層、P型GaN層，所述發光層包括若干子層，所述子層包括量子阱層和層疊在所述量子阱層上的量子壘層，其特征在于，所述外延片還包括層疊在所述N型GaN層和所述發光層之間的量子緩沖層，所述量子緩沖層的晶格常數在所述量子阱層的晶格常數和所述量子壘層的晶格常數之間；
所述量子阱層為InGaN層，所述量子壘層為GaN層；所述量子緩沖層為InGaN層，所述量子緩沖層中In組分的含量小于所述量子阱層中In組分的含量的0.1倍；
或者，所述量子阱層為GaN層，所述量子壘層為AlGaN層；所述量子緩沖層為AlGaN層，所述量子緩沖層中Al組分的含量小于所述量子壘層中Al組分的含量的0.1倍；
或者，所述量子阱層為InGaN層，所述量子壘層為AlGaN層；所述量子緩沖層為InAlGaN層、InGaN層、AlGaN層、GaN層中的一種，所述量子緩沖層中In組分的含量小于所述量子阱層中In組分的含量的0.1倍，且所述量子緩沖層中Al組分的含量小于所述量子壘層中Al組分的含量的0.1倍。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子緩沖層的厚度與所述量子壘層的厚度之差的絕對值小于設定值，或者所述量子緩沖層的厚度大于所述量子壘層的厚度。
3.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述外延片還包括層疊在所述量子緩沖層和所述發光層之間的插入層，所述插入層的厚度小于10nm。
4.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述外延片還包括層疊在所述N型GaN層和所述量子緩沖層之間的淺量子阱層。
5.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述量子緩沖層摻雜有Si。
6.一種發光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
在襯底上依次生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型GaN層、量子緩沖層、發光層、P型GaN層；
其中，所述發光層包括若干子層，所述子層包括量子阱層和層疊在所述量子阱層上的量子壘層，所述量子緩沖層的晶格常數在所述量子阱層的晶格常數和所述量子壘層的晶格常數之間；
所述量子阱層為InGaN層，所述量子壘層為GaN層；所述量子緩沖層為InGaN層，所述量子緩沖層中In組分的含量小于所述量子阱層中In組分的含量的0.1倍；
或者，所述量子阱層為GaN層，所述量子壘層為AlGaN層；所述量子緩沖層為AlGaN層，所述量子緩沖層中Al組分的含量小于所述量子壘層中Al組分的含量的0.1倍；
或者，所述量子阱層為InGaN層，所述量子壘層為AlGaN層；所述量子緩沖層為InAlGaN層、InGaN層、AlGaN層、GaN層中的一種，所述量子緩沖層中In組分的含量小于所述量子阱層中In組分的含量的0.1倍，且所述量子緩沖層中Al組分的含量小于所述量子壘層中Al組分的含量的0.1倍。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述量子緩沖層的生長溫度與所述量子壘層的生長溫度之差的絕對值不超過50℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華燦光電（浙江）有限公司，未經華燦光電（浙江）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710021780.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
