[發明專利]一種氮化鎵基發光二極管的外延片及其制作方法有效
| 申請號： | 201710021559.6 | 申請日： | 2017-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN106816501B | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 王群;郭炳磊;董彬忠;李鵬;王江波 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 發光二極管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一種氮化鎵基發光二極管的外延片，所述外延片包括藍寶石襯底、以及依次層疊在所述藍寶石襯底上的GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、P型AlGaN層、P型GaN層，其特征在于，所述多量子阱層由多層量子阱層和多層量子壘層交替層疊而成，所述量子阱層為摻有Al的InGaN層，所述量子壘層為GaN層；多層所述量子阱層沿多層所述量子阱層的層疊方向依次屬于前阱、中阱、后阱，屬于前阱的所述量子阱層的厚度大于屬于中阱的所述量子阱層的厚度，屬于中阱的所述量子阱層的厚度大于屬于后阱的所述量子阱層的厚度；屬于前阱的所述量子阱層的In組分含量小于屬于中阱的所述量子阱層的In組分含量，屬于中阱的所述量子阱層的In組分含量小于屬于后阱的所述量子阱層的In組分含量；屬于前阱的所述量子阱層的Al摻雜濃度大于屬于中阱的所述量子阱層的Al摻雜濃度，屬于中阱的所述量子阱層的Al摻雜濃度大于屬于后阱的所述量子阱層的Al摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，屬于前阱的所述量子阱層的厚度為屬于后阱的所述量子阱層的厚度的1.3～1.5倍，屬于中阱的所述量子阱層的厚度為屬于后阱的所述量子阱層的厚度的1.1～1.3倍。
3.一種氮化鎵基發光二極管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在藍寶石襯底上依次外延生長GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、P型AlGaN層、P型GaN層；
其中，所述多量子阱層由多層量子阱層和多層量子壘層交替層疊而成，所述量子阱層為摻有Al的InGaN層，所述量子壘層為GaN層；多層所述量子阱層沿多層所述量子阱層的層疊方向依次屬于前阱、中阱、后阱，屬于前阱的所述量子阱層的厚度大于屬于中阱的所述量子阱層的厚度，屬于中阱的所述量子阱層的厚度大于屬于后阱的所述量子阱層的厚度；屬于前阱的所述量子阱層的In組分含量小于屬于中阱的所述量子阱層的In組分含量，屬于中阱的所述量子阱層的In組分含量小于屬于后阱的所述量子阱層的In組分含量；屬于前阱的所述量子阱層的Al摻雜濃度大于屬于中阱的所述量子阱層的Al摻雜濃度，屬于中阱的所述量子阱層的Al摻雜濃度大于屬于后阱的所述量子阱層的Al摻雜濃度。
4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，屬于前阱的所述量子阱層的生長溫度比屬于中阱的所述量子阱層的生長溫度高，屬于中阱的所述量子阱層的生長溫度比屬于后阱的所述量子阱層的生長溫度高。
5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，屬于前阱的所述量子阱層的生長溫度比屬于后阱的所述量子阱層的生長溫度高20～50℃，屬于中阱的所述量子阱層的生長溫度比屬于后阱的所述量子阱層的生長溫度高10～30℃。
6.根據權利要求3～5任一項所述的制作方法，其特征在于，屬于前阱的所述量子阱層的厚度為屬于后阱的所述量子阱層的厚度的1.3～1.5倍，屬于中阱的所述量子阱層的厚度為屬于后阱的所述量子阱層的厚度的1.1～1.3倍。
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