[發(fā)明專利]一種白光有機電致發(fā)光器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710021106.3
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN106784358A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅東向;楊炎鋒;劉佰全;何俊彬;楊億斌;牟中飛;李京波
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務(wù)所44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述白光有機電致發(fā)光器件以如下順序設(shè)置：陰極；有機功能層；以及陽極；

所述有機功能層包括至少三層發(fā)光層和至少兩層間隔層，所述發(fā)光層之間通過所述間隔層相間設(shè)置；

所述發(fā)光層包括至少一層藍色熒光層和至少兩層磷光層；

所述間隔層包含至少一層電子型間隔層和至少一層雙極性間隔層，或所述間隔層包含至少一層電子型間隔層和至少一層空穴型間隔層，或所述間隔層包含至少一層雙極性間隔層和至少一層空穴型間隔層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：還設(shè)置有電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層和基板；所述陰極、電子注入層、電子傳輸層、有機功能層、空穴傳輸層、空穴注入層、陽極和基板按照從上到下的順序依次疊層排列。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述藍色熒光層為波長小于500nm的藍色光。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：當兩層所述磷光層中的材料相同時，所述磷光層的波長范圍為530-780nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：當兩層所述磷光層中的材料不相同時，所述磷光層為綠光材料、黃光材料、橙光材料和紅光材料中的任意兩種材料組合，所述磷光層的波長范圍為500-780nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述間隔層的材料的三線態(tài)能級大于所述發(fā)光層的材料的三線態(tài)能級。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述間隔層由電子型材料或空穴型材料或雙極性材料制造而成，所述間隔層的厚度設(shè)置為0.1至15nm，或所述間隔層的厚度設(shè)置為1至6nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述發(fā)光層中的藍色熒光層的材料設(shè)置為DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene(BTPEAn)、NPB、4P-NPD、NPD、TPD發(fā)光材料；

所述發(fā)光層中的磷光層的材料設(shè)置為Ir(ppy)3、IrG2、Ir(piq)3、(MDQ)2Ir(acac)發(fā)光材料；

所述間隔層中的電子型間隔層的材料設(shè)置為Bepp2、TPBi、TmPyPB、Bphen、BCP、TAZ、OXD-7、3TPYMB、SPPO1、UGH1、UGH2、UGH3、UGH4、NBphen具有高三線態(tài)能級的一種有機材料；

所述間隔層中的空穴型間隔層設(shè)置為TAPC、NPB、TCTA、TPD、4P-NPD、m-MTDATA具有高三線態(tài)能級的一種有機材料。

所述間隔層中的雙極性型間隔層設(shè)置為CBP、26DCzPPy具有高三線態(tài)能級的一種有機材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述發(fā)光層中的藍色熒光層的厚度設(shè)置為0-40nm或0.1-10nm；所述發(fā)光層中的磷光層的厚度設(shè)置為0-50nm或0.1-20nm或0-50nm。

10.一種用于生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1-9所述的一種白光有機電致發(fā)光器件的方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1:在基板上以濺射方法制備ITO薄膜作為陽極；

S2:在陽極上以真空蒸鍍方法制備空穴注入層；

S3:在所述空穴注入層上以真空蒸鍍方法制備空穴傳輸層；

S4:在所述空穴注入層上以真空蒸鍍方法制備Ir(piq)3薄膜做紅色磷光層；

S5:在所述紅光層上以真空蒸鍍方法制備TAPC薄膜作為空穴型間隔層；

S6:在所述空穴型間隔層上以真空蒸鍍方法制備DSA-ph薄膜作為藍色熒光層；

S7:在所述藍光層上以真空蒸鍍方法制備TPBi薄膜作為電子型間隔層；

S8:在所述電子型間隔層上以真空蒸鍍方法制備Ir(ppy)3薄膜作為綠色磷光層；

S9:在所述藍光層上以真空蒸鍍方法制備TPBi薄膜作為電子傳輸層；

S10:在所述電子傳輸層上以真空蒸鍍方法制備LiF薄膜作為電子注入層；

S11:在所述電子注入層上以真空蒸鍍方法制備Al薄膜作為陰極。